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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3,690En existencias
Cinta cortada
$8.04
$4.34
$3.99
$3.87
$3.65
Envase tipo carrete
$3.65
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 60 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 40 C + 150 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3,361En existencias
Cinta cortada
$3.58
$1.94
$1.61
$1.40
$1.35
Envase tipo carrete
$1.35
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,321En existencias
Cinta cortada
$5.19
$2.69
$2.45
$2.20
$2.16
Envase tipo carrete
$2.01
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,492En existencias
Cinta cortada
$7.74
$4.16
$3.82
$3.67
$3.47
Envase tipo carrete
$3.47
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 55 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,980En existencias
Cinta cortada
$7.32
$3.92
$3.59
$3.41
$3.22
Envase tipo carrete
$3.22
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 75 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,578En existencias
Cinta cortada
$7.56
$4.06
$3.72
$3.57
$3.37
Envase tipo carrete
$3.37
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 66 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 40 C + 150 C 189 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,895En existencias
Cinta cortada
$4.25
$2.51
$2.05
$1.71
$1.65
Envase tipo carrete
$1.55
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
688En existencias
$5.14
$2.66
$2.42
$2.12
$1.99
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
712En existencias
$3.38
$1.69
$1.53
$1.23
$1.17
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
136En existencias
$11.95
$8.12
$7.91
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
832En existencias
$3.74
$1.89
$1.71
$1.39
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
816En existencias
Cinta cortada
$7.43
$3.98
$3.65
$3.48
Envase tipo carrete
$3.29
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
300En existencias
$9.89
$6.10
$5.29
$4.74
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,989En existencias
Cinta cortada
$5.89
$3.09
$2.82
$2.56
$2.41
Envase tipo carrete
$2.41
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
420En existencias
Cinta cortada
$5.23
$2.71
$2.47
$2.18
Envase tipo carrete
$2.05
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
268En existencias
$9.03
$5.41
$4.56
$4.16
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
5,134En existencias
Cinta cortada
$9.66
$5.41
$5.03
$4.95
Envase tipo carrete
$4.75
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,632En existencias
Cinta cortada
$3.83
$2.05
$1.86
$1.53
Envase tipo carrete
$1.44
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
173Se espera el 16/11/2026
$9.51
$5.99
$5.28
$4.45
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,405En existencias
Cinta cortada
$5.65
$2.95
$2.69
$2.42
Envase tipo carrete
$2.28
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms 20 V 4.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,424En existencias
Cinta cortada
$3.48
$1.76
$1.62
$1.31
Envase tipo carrete
$1.13
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
790En existencias
$7.40
$3.97
$3.63
$3.27
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
642En existencias
$7.09
$4.40
$3.64
$2.87
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
577En existencias
Cinta cortada
$10.28
$5.69
$5.35
$5.34
$5.22
Envase tipo carrete
$5.06
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms 20 V 4 V 79 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
180En existencias
$19.47
$11.60
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 101 A 18 mOhms 20 V 3.5 V 251 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube