Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V 3,095En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications 3,518En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H 2,492En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 288 A 1.4 mOhms 20 V 3.6 V 80 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 3,580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 16 mOhms 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V 7,307En existencias
5,000Se espera el 8/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 1,906En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L N-Channel 1 Channel 40 V 58 A 6.3 mOhms 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 1.63 mOhms 20 V 3.5 V 106 C - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 6,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 30 V 7.7 A 0.031 Ohms 12 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56 2,065En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 207
: 3,000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 100 V 16.5 A 56 mOhms 20 V 4 V 5 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM 945En existencias
1,500Se espera el 29/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 245
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 60 V 17 A 39 mOhms 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 828En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 83
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 3.1 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 1,584En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
Diodes Incorporated DMP21D1UFB4Q-7B
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K 8,208En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated DMTH4012LDVWQ-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,448En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFP3306PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 40<-<100V 207En existencias
400Se espera el 10/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 400

Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated DMP1046UCA4-7
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0808-4(Type B) T&R 3K 2,320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL 50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 5,214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, ITO-220AB, N, 900V, 2.7A, 3.4 , 150C 1,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 11,183En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V 2,092En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V 881En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V 995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V 1,920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V 791En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)