|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
- BLM9D2327S-50PBGY
- Ampleon
-
1:
$56.39
-
100Se espera el 26/2/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLM9D2327S-50PBGY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
|
|
100Se espera el 26/2/2026
|
|
|
$56.39
|
|
|
$49.57
|
|
|
$47.85
|
|
|
$47.57
|
|
|
$39.52
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
2.3 GHz to 2.7 GHz
|
29.5 dB
|
44 dBm
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OMP-780-16G-1-16
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30/TO270/REEL
- BLP0408H9S30XY
- Ampleon
-
1:
$35.53
-
100En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP0408H9S30XY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30/TO270/REEL
|
|
100En existencias
|
|
|
$35.53
|
|
|
$31.58
|
|
|
$29.46
|
|
|
$28.54
|
|
|
$26.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$25.11
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
1.2 Ohms
|
400 MHz to 860 MHz
|
20.2 dB
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20/TO270/REEL
- BLP0427M9S20XY
- Ampleon
-
1:
$24.83
-
100Se espera el 23/2/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP0427M9S20XY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20/TO270/REEL
|
|
100Se espera el 23/2/2026
|
|
|
$24.83
|
|
|
$22.07
|
|
|
$20.59
|
|
|
$19.95
|
|
|
$18.49
|
|
|
Ver
|
|
|
$17.60
|
|
|
$16.67
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
500 mOhms
|
400 MHz to 2.7 GHz
|
19 dB
|
20 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
- BLP15M9S70GXY
- Ampleon
-
1:
$24.48
-
100Se espera el 29/5/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70GXY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
|
|
100Se espera el 29/5/2026
|
|
|
$24.48
|
|
|
$21.76
|
|
|
$20.30
|
|
|
$19.67
|
|
|
$19.16
|
|
|
Ver
|
|
|
$17.36
|
|
|
$16.43
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
370 mOhms
|
2 GHz
|
19.3 dB
|
100 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2G-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY
- BLS9G2735LS-50U
- Ampleon
-
1:
$91.43
-
45Se espera el 13/2/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2735LS-50U
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY
|
|
45Se espera el 13/2/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
300 mOhms
|
2.7 GHz to 3.5 GHz
|
12 dB
|
50 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT1135B-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
- MWT-PH7F71
- CML Micro
-
1:
$83.84
-
3Se espera el 7/5/2026
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH7F71
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
|
|
3Se espera el 7/5/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
GaAs
|
|
|
|
28 GHz
|
15 dB
|
24.5 dBm
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH27F71
- MWT-PH27F71
- CML Micro
-
1:
$56.04
-
3Se espera el 31/3/2026
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
|
|
3Se espera el 31/3/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
GaAs
|
|
|
|
26 GHz
|
16 dB
|
25 dBm
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
- AFV10700GSR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$804.24
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
771-AFV10700GSR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.6 A
|
105 V
|
|
1.03 GHz to 1.09 GHz
|
19.2 dB
|
700 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-780GS-4L
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300BN
- NXP Semiconductors
-
240:
$69.05
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300BN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 240
Mult.: 240
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
20.4 dB
|
330 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
- AFT09MP055NR1
- NXP Semiconductors
-
500:
$31.47
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MP055NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7.5 A
|
40 V
|
|
764 MHz to 940 MHz
|
17.5 dB
|
57 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270WB-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
- AFT09MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
500:
$22.89
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 A
|
40 V
|
|
764 MHz to 941 MHz
|
15.7 dB
|
32 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50GNR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$283.33
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50GNR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
133 V
|
|
1.8 MHz to 500 MHz
|
23 dB
|
1.5 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230G-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
- MRF6V12250HR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$670.88
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12250HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
100 V
|
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
20.3 dB
|
275 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-780
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
- MRF6V14300HSR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$584.67
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V14300HSR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
100 V
|
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
18 dB
|
330 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-780S
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
- MRFE6VP61K25HR6
- NXP Semiconductors
-
150:
$324.75
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR6
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 150
Mult.: 150
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
24 dB
|
1.25 kW
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
- AFT31150NR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$296.83
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
771-AFT31150NR5
NRND
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
1.8 A
|
65 V
|
|
2.7 GHz to 3.1 GHz
|
17.2 dB
|
150 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
OM-780-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
- MRF6V12500HR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$951.35
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12500HR5
NRND
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
110 V
|
|
960 MHz to 1.215 MHz
|
19.7 dB
|
500 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-780H-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
- MW6S010GNR1
- NXP Semiconductors
-
500:
$27.23
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
841-MW6S010GNR1
NRND
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
125 mA
|
68 V
|
|
450 MHz to 1.5 GHz
|
18 dB
|
10 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-7F
- CML Micro
-
10:
$51.62
-
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo del Fabricante
MWT-7F
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-7F
NRND
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
85 mA
|
|
|
26 GHz
|
15 dB
|
21 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA102001EA-V1-R0
- MACOM
-
1:
$346.23
-
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA102001EA1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 mA
|
105 V
|
340 mOhms
|
960 MHz to 1.6 GHz
|
18.5 dB
|
200 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-36265-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA127002EV-V1-R0
- MACOM
-
50:
$859.26
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA127002EV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
105 V
|
100 mOhms
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
16 dB
|
700 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-36275-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER
- TAV1-541+
- Mini-Circuits
-
1:
$13.73
-
N/A
|
N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-541+
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Mini-Circuits
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER
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N/A
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$13.73
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$1.99
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$1.94
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$1.91
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$1.79
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Min.: 1
Mult.: 1
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N-Channel
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GaAs
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120 mA
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3 V
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45 MHz to 6 GHz
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18.6 dB
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20.7 dBm
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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MCLP-4
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Reel, Cut Tape
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
- ARF466AG
- Microchip Technology
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1:
$65.50
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
494-ARF466AG
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Microchip Technology
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
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Through Hole
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TO-247-3
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Tube
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
- ARF466BG
- Microchip Technology
-
25:
$65.50
-
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
494-ARF466BG
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Microchip Technology
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 25
Mult.: 25
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N-Channel
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Si
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13 A
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1 kV
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1 Ohms
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45 MHz
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16 dB
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300 W
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- 55 C
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+ 150 C
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Through Hole
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TO-247-3
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Tube
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T2
- ARF466FL
- Microchip Technology
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10:
$148.79
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
494-ARF466FL
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Microchip Technology
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T2
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 10
Mult.: 10
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Si
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