|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
NXP Semiconductors MHT1803B
- MHT1803B
- NXP Semiconductors
-
1:
$44.42
-
368En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
|
|
368En existencias
|
|
|
$44.42
|
|
|
$36.14
|
|
|
$33.90
|
|
|
$32.22
|
|
|
Ver
|
|
|
$31.98
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
|
|
1.8 MHz to 50 MHz
|
28.2 dB
|
300 W
|
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
onsemi NVJD5121NT1G-M06
- NVJD5121NT1G-M06
- onsemi
-
1:
$0.41
-
29,430En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVJD5121NT1G-M06
|
onsemi
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
|
|
29,430En existencias
|
|
|
$0.41
|
|
|
$0.252
|
|
|
$0.159
|
|
|
$0.119
|
|
|
$0.081
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.103
|
|
|
$0.075
|
|
|
$0.066
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
- ARF1500
- Microchip Technology
-
1:
$310.76
-
3En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
ARF1500
N.º de artículo de Mouser
494-ARF1500
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
|
|
3En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
60 A
|
500 V
|
|
40 MHz
|
17 dB
|
750 W
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
- ARF463AG
- Microchip Technology
-
1:
$41.42
-
37En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
|
37En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
9 A
|
500 V
|
|
100 MHz
|
15 dB
|
100 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
- ARF463AP1G
- Microchip Technology
-
1:
$45.03
-
5En existencias
-
540En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AP1G
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
|
5En existencias
540En pedido
Existencias:
5 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
240 Se espera el 21/7/2026
300 Se espera el 3/8/2026
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
9 A
|
500 V
|
|
100 MHz
|
15 dB
|
100 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
- ARF476FL
- Microchip Technology
-
1:
$158.39
-
10En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF476FL
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
|
|
10En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 A
|
500 V
|
|
150 MHz
|
15 dB
|
900 W
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015S-E
- STMicroelectronics
-
1:
$23.06
-
323En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
323En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
15 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
- SD2932BW
- STMicroelectronics
-
1:
$213.78
-
36En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2932BW
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
|
|
36En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
125 V
|
|
250 MHz
|
15 dB
|
300 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
- MRF171A
- MACOM
-
1:
$74.64
-
5En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF171A
N.º de artículo de Mouser
937-MRF171A
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
|
|
5En existencias
|
|
|
$74.64
|
|
|
$59.81
|
|
|
$55.34
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4.5 A
|
65 V
|
|
150 MHz
|
17 dB
|
45 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
211-07-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH31F
- CML Micro
-
1:
$31.85
-
20En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH31F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
20En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
GaAs
|
240 mA to 280 mA
|
|
|
18 GHz
|
13 dB
|
30 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH32F
- CML Micro
-
1:
$38.52
-
18En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH32F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
18En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
GaAs
|
310 mA to 360 mA
|
|
|
12 GHz
|
13 dB
|
30.5 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
- MWT-PH33F
- CML Micro
-
10:
$17.33
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH33F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
|
|
30En existencias
|
|
|
$17.33
|
|
|
$17.30
|
|
|
$14.24
|
|
|
$13.36
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.20
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
N-Channel
|
GaAs
|
|
|
|
26 GHz
|
14 dB
|
24 dBm
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
Gel Pack
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH7F
- CML Micro
-
10:
$60.44
-
10En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH7F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
10En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
60 mA to 80 mA
|
6.5 V
|
|
28 GHz
|
15 dB
|
23 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9H0610S-60PG/OMP-780/REELDP
- BLM9H0610S-60PGY
- Ampleon
-
1:
$48.40
-
10En existencias
-
200Se espera el 5/3/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLM9H0610S-60PGY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9H0610S-60PG/OMP-780/REELDP
|
|
10En existencias
200Se espera el 5/3/2026
|
|
|
$48.40
|
|
|
$37.93
|
|
|
$36.34
|
|
|
$36.32
|
|
|
$33.03
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
LDMOS
|
|
48 V
|
|
600 MHz to 1 GHz
|
35.5 dB
|
45.3 dBm
|
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
OMP-780-16G-1-16
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
- BLP15H9S30GXY
- Ampleon
-
1:
$21.54
-
28En existencias
-
100Se espera el 27/2/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S30GXY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
|
|
28En existencias
100Se espera el 27/2/2026
|
|
|
$21.54
|
|
|
$19.14
|
|
|
$17.86
|
|
|
$17.30
|
|
|
$16.59
|
|
|
Ver
|
|
|
$15.67
|
|
|
$14.70
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
890 mOhms
|
2 GHz
|
21 dB
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2G-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
- BLP15H9S30XY
- Ampleon
-
1:
$21.54
-
32En existencias
-
100Se espera el 2/3/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S30XY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
|
|
32En existencias
100Se espera el 2/3/2026
|
|
|
$21.54
|
|
|
$19.14
|
|
|
$17.86
|
|
|
$17.30
|
|
|
$15.85
|
|
|
Ver
|
|
|
$15.38
|
|
|
$14.76
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
890 mOhms
|
2 GHz
|
22 dB
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/TO270/REEL
- BLP5LA55SXY
- Ampleon
-
1:
$23.90
-
74En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP5LA55SXY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/TO270/REEL
|
|
74En existencias
|
|
|
$23.90
|
|
|
$21.24
|
|
|
$19.81
|
|
|
$19.20
|
|
|
$17.82
|
|
|
Ver
|
|
|
$16.95
|
|
|
$16.05
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
30 V
|
60 mOhms
|
520 MHz
|
19.6 dB
|
55 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA030121EA-V1-R0
- MACOM
-
1:
$47.93
-
41En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
41En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
Si
|
1 mA
|
105 V
|
2.8 Ohms
|
390 MHz to 450 MHz
|
25 dB
|
12 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-36265-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA120251EA-V2-R0
- MACOM
-
1:
$53.26
-
7En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
7En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 mA
|
105 V
|
1.4 Ohms
|
500 MHz to 1.4 GHz
|
18 dB
|
25 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-36265-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF463BP1G
- ARF463BP1G
- Microchip Technology
-
1:
$45.03
-
22En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463BP1G
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
|
22En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
9 A
|
500 V
|
|
100 MHz
|
15 dB
|
100 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
- UF28150J
- MACOM
-
1:
$558.95
-
40En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
937-UF28150J
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
|
|
40En pedido
En pedido:
10 Se espera el 6/5/2026
30 Se espera el 20/7/2026
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
16 A
|
65 V
|
|
100 MHz to 500 MHz
|
8 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
375-04
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY
- BLF647P,112
- Ampleon
-
1:
$167.33
-
236Se espera el 19/6/2026
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF647P112
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY
|
|
236Se espera el 19/6/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
100 mA
|
65 V
|
140 mOhms
|
1.5 GHz
|
18 dB
|
200 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT-1121A-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
- ARF475FL
- Microchip Technology
-
1:
$150.41
-
20Se espera el 23/4/2026
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF475FL
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
|
|
20Se espera el 23/4/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 A
|
500 V
|
|
150 MHz
|
15 dB
|
900 W
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
- MRF275G
- MACOM
-
1:
$333.25
-
50En pedido
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF275G
N.º de artículo de Mouser
937-MRF275G
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
|
|
50En pedido
En pedido:
10 Se espera el 17/4/2026
40 Se espera el 21/5/2026
Plazo de entrega de fábrica:
28 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
26 A
|
65 V
|
|
100 MHz to 500 MHz
|
11.2 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
375-04
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
- UF2840P
- MACOM
-
1:
$143.12
-
60Se espera el 6/5/2026
|
N.º de artículo del Fabricante
UF2840P
N.º de artículo de Mouser
937-UF2840P
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
|
|
60Se espera el 6/5/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
65 V
|
|
100 MHz to 500 MHz
|
10 dB
|
40 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
