Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
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Dual N-Channel Si 65 V 50 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 21 dB 28 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288 No en existencias
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Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Si 105 V 2.8 Ohms 390 MHz to 450 MHz 25 dB 12 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Dual N-Channel Si 105 V 100 mOhms 390 MHz to 450 MHz 18 dB 500 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange
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Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Dual N-Channel Si 105 V 100 mOhms 1.03 GHz/1.09 GHz 18 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
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Dual N-Channel Si 105 V 100 mOhms 1.03 GHz/1.09 GHz 18 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
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N-Channel Si 105 V 340 mOhms 960 MHz to 1.6 GHz 18.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel
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N-Channel Si 105 V 100 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 17.5 dB 450 W + 225 C SMD/SMT H-33288-2 Reel
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N-Channel Si 105 V 100 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 17.5 dB 450 W + 225 C SMD/SMT H-33288-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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N-Channel Si 105 V 1.4 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 18 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel
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N-Channel Si 50 mA 105 V 400 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 50 W Screw Mount H-36265-2 Reel
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N-Channel Si 50 mA 105 V 400 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 50 W Screw Mount H-36265-2 Reel
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N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-36248-2 Reel
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N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-36248-2 Reel
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N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-37248-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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N-Channel Si 150 mA 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 17 dB 350 W Screw Mount H-37248-2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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N-Channel Si 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 16 dB 700 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
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Dual N-Channel Si 65 V 380 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 55 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
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Dual N-Channel Si 65 V 380 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 55 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Dual N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16 dB 420 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Dual N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16 dB 420 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

Dual N-Channel Si 65 V 90 mOhms 2.11 GHz to 2.17 GHz 16 dB 430 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel