Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Dual N-Channel Si 105 V 2.8 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 19.5 dB 25 W + 225 C SMD/SMT SON-16 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

Dual N-Channel Si 65 V 220 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 90 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

Dual N-Channel Si 65 V 220 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 90 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 240 mA 65 V 300 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 16.5 dB 120 W Screw Mount H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

N-Channel Si 240 mA 65 V 300 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 16.5 dB 120 W Screw Mount H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

Dual N-Channel Si 65 V 175 mOhms 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 17.7 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

Dual N-Channel Si 65 V 175 mOhms 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 17.7 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W TO270-2N
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N-Channel Si 125 mA 68 V 450 MHz to 1.5 GHz 18 dB 10 W + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 160
Mult.: 160
Carrete: 160

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.625 GHz 18 dB 80 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

N-Channel Si 65 V 1.5 Ohms 3.6 GHz 14.5 dB 8 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 12 A 90 V 1.5 GHz 17.3 dB 80 W + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 80
Mult.: 80

N-Channel Si 1 mA 200 V 250 MHz 24.6 dB 1 kW - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244F Bulk
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 1.8 A 65 V 2.7 GHz to 3.1 GHz 17.2 dB 150 W - 40 C + 150 C Screw Mount OM-780-2 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 110 V 960 MHz to 1.215 MHz 19.7 dB 500 W + 150 C Screw Mount NI-780H-2 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel Si 125 mA 68 V 450 MHz to 1.5 GHz 18 dB 10 W + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 12 GHz 12 dB 22 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

GaAs 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

Dual N-Channel Si 65 V 400 mOhms 2.3 GHz to 2.4 GHz 14.3 dB 50 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

Dual N-Channel Si 65 V 400 mOhms 2.3 GHz to 2.4 GHz 14.3 dB 50 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

Dual N-Channel Si 10 mA 65 V 50 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 21 dB 28 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel