CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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784En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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745En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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1,488En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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2,346En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V
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1,170En existencias
750Se espera el 22/10/2026
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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494En existencias
750Se espera el 16/7/2026
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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1,478En existencias
750Se espera el 9/7/2026
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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1,836En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
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27En existencias
2,250En pedido
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
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158En existencias
750Se espera el 28/1/2027
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
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465En existencias
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MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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845En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
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899En existencias
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MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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1,008En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
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1,899En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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170En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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480En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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147En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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131En existencias
240Se espera el 8/10/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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234En existencias
240En pedido
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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1En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
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2,000Se espera el 1/10/2026
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MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel