MOSFETs de SiC – Mouser Honduras

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
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IMY120R018CM2HXKSA1

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PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
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726-IMY120R036AM2HXK

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$7.53

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PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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$9.63

$8.03

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Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

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Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

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IMSQ120R012M2HHXUMA1
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1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
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IMZC120R022M2HXKSA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
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IMCQ120R026M2HXTMA1

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Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
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IMCQ120R040M2HXTMA1

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Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
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$4.58

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SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
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SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

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IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
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IMSQ120R026M2HHXUMA1

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Mult.: 1

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1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $21.24
670En existencias
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IMSQ120R040M2HHXUMA1

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$13.72

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1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
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IMZA120R012M2HXKSA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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$28.86

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PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $22.96
147En existencias
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IMZA120R017M2HXKSA1

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PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $19.09
341En existencias
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IMZA120R022M2HXKSA1

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726-IMZA120R022M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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341En existencias

$19.09

$12.42

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PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $12.65
352En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R040M2HXK

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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352En existencias

$12.65

$8.33

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$6.19

$6.15

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PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $26.63
640En existencias
240Se espera el 22/10/2026
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IMZC120R012M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R012M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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640En existencias

240Se espera el 22/10/2026

$26.63

$17.30

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $22.13
609En existencias
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IMZC120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R017M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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609En existencias

$22.13

$15.08

Min.: 1
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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $17.08
471En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R026M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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471En existencias

$17.08

$11.06

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $12.54
1,026En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R034M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R034M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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1,026En existencias

$12.54

$7.53

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.16
739En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R053M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R053M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

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739En existencias

$10.16

$5.99

$5.07

$5.06

$4.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $36.07
1,063En existencias
1,000Se espera el 3/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R008M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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1,063En existencias

1,000Se espera el 3/9/2026

Cinta cortada

$36.07

$27.08

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$27.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $20.81
3,290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R017M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

3,290En existencias

Cinta cortada

$20.81

$15.02

$12.38

$12.17

Envase tipo carrete

$10.41

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $44.57
1,456Se espera el 10/8/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R007M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R007M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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1,456Se espera el 10/8/2026

Cinta cortada

$44.57

$38.02

$31.37

Envase tipo carrete

$31.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

1.2 kV

257 A

7.5 mOhms

4.2 V

+ 175 C

- 55 C

1.172 kW

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $18.49
146En existencias
Nuevo producto

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IMSQ120R053M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R053M2HHX

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Cinta cortada

$18.49

$14.09

$11.74

$10.46

Envase tipo carrete

$9.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W