IMCQ120R078M2HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMCQ120R078M2HXT
IMCQ120R078M2HXTMA1

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
PG-HDSOP-22-U03
1 Channel
1.2 kV
31 A
205 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
23.2 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
CoolSiC
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 3 S
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: MOSFETs
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 3.2 ns
Serie: 1200 V G2
Cantidad de empaque de fábrica: 750
Subcategoría: Transistors
Polaridad del transistor: N-Channel
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: SiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 11.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5 ns
Alias de las piezas n.º: IMCQ120R078M2H SP005974971
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Austria
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage VGS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

En existencias: 35

Existencias:
35
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Plazo de entrega de fábrica:
52
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