|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
- SH63N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$19.70
-
174En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH63N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
|
|
174En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
ACEPACK SMIT-9
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N023M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$18.67
-
446En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
446En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD54008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$15.56
-
1,523En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
1,523En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57030-E
- STMicroelectronics
-
1:
$43.91
-
480En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
480En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
- BU508AF
- STMicroelectronics
-
1:
$4.11
-
10,714En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
|
|
10,714En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
ISOWATT-218FX-3
|
NPN
|
|
|
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
- STE145N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$33.17
-
760En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
|
|
760En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
ISOTOP
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH
- STN1NK80Z
- STMicroelectronics
-
1:
$2.04
-
42,344En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STN1NK80Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH
|
|
42,344En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
- STP20NM60FD
- STMicroelectronics
-
1:
$6.60
-
4,256En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
|
|
4,256En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD54008L-E
- STMicroelectronics
-
1:
$8.55
-
3,425En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
3,425En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT (5x5)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$17.46
-
1,302En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
1,302En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STD80N340K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.61
-
2,338En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
2,338En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H VL fast-switching
- BUL743
- STMicroelectronics
-
1:
$2.96
-
4,644En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BUL743
N.º de artículo de Mouser
511-BUL743
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H VL fast-switching
|
|
4,644En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
- STB28N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.79
-
1,792En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
|
|
1,792En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
- STB80N20M5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.58
-
1,389En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB80N20M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
|
|
1,389En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp
- STD35NF06LT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.18
-
21,229En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD35NF06L
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp
|
|
21,229En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
- STD3N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$1.99
-
5,125En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD3N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
|
|
5,125En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
- STD3NK80Z-1
- STMicroelectronics
-
1:
$2.86
-
3,339En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK80Z-1
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
|
|
3,339En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
- STD5N95K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.58
-
3,778En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
|
|
3,778En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
- STGF7NB60SL
- STMicroelectronics
-
1:
$2.48
-
2,872En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGF7NB60SL
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
|
|
2,872En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3 FP
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
- STGWA40H120F2
- STMicroelectronics
-
1:
$8.46
-
535En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA40H120F2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
|
|
535En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
IGBTs 600V 65A N-Channel
- STGY50NC60WD
- STMicroelectronics
-
1:
$17.44
-
965En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGY50NC60WD
|
STMicroelectronics
|
IGBTs 600V 65A N-Channel
|
|
965En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
Max247-3
|
|
|
|
|
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
- STGYA120M65DF2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$10.05
-
495En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA120M65DF2AG
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
|
|
495En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
Max247-3
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
- STGYA50H120DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$8.23
-
416En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA50H120DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
|
|
416En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
- STH275N8F7-6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$5.80
-
905En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
|
|
905En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
- STH310N10F7-6
- STMicroelectronics
-
1:
$6.97
-
1,235En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
|
|
1,235En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|