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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
- MBR1060DC-AU_R2_006A1
- Panjit
-
1:
$1.18
-
6,227En existencias
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N.º de artículo de Mouser
241-MBR1060DCAUR26A1
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Panjit
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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6,227En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
800
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
- SI4948BEY-T1-E3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.81
-
68,526En existencias
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N.º de artículo de Mouser
781-SI4948BEY-T1-E3
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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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68,526En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
$2.80
-
20,063En existencias
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N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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20,063En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
- NVMFD5877NLWFT1G-UM
- onsemi
-
1:
$1.90
-
976En existencias
-
1,500Se espera el 29/12/2026
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
863-FD5877NLWFT1G-UM
Nuevo producto
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onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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976En existencias
1,500Se espera el 29/12/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
:
1,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
- SH63N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$19.70
-
174En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-SH63N65DM6AG
|
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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174En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
200
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Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
- BSM250D17P2E004
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1,140.86
-
44En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-BSM250D17P2E004
|
ROHM Semiconductor
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Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
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44En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
4
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
- PMD2001D,115
- Nexperia
-
1:
$0.51
-
184,860En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMD2001D115
|
Nexperia
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
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184,860En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
- PMP4201Y,135
- Nexperia
-
1:
$0.66
-
286,114En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMP4201Y135
|
Nexperia
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
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286,114En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
- SIA907EDJT-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.91
-
110,643En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIA907EDJT-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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110,643En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQ1922EEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.87
-
301,383En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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301,383En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
- SQJ980AEP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.98
-
28,741En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
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28,741En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CAB008A12GM3T
- Wolfspeed
-
1:
$211.16
-
13En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CAB008A12GM3T
|
Wolfspeed
|
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
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|
13En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
- SH8KE7TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.02
-
4,571En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SH8KE7TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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4,571En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
- HP8KE6TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.44
-
4,860En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KE6TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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4,860En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
- HT8KE6TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.33
-
5,917En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-HT8KE6TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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|
5,917En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 120V 200mA
- BAS31
- onsemi
-
1:
$0.46
-
396,104En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BAS31
N.º de artículo de Mouser
512-BAS31
|
onsemi
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120V 200mA
|
|
396,104En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
- FDMS86300DC
- onsemi
-
1:
$4.33
-
34,925En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86300DC
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
|
|
34,925En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
- SI4228DY-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.47
-
47,622En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI4228DY-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
|
|
47,622En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
- SQ4961EY-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.34
-
22,029En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4961EY-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
|
|
22,029En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
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Rectificadores 600V 30A TO-263 HexFred
- VS-HFA30TA60CS-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$6.16
-
8,217En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-HFA30TA60CS-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 600V 30A TO-263 HexFred
|
|
8,217En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
- DD600N16KXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$367.42
-
5En existencias
-
22En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-DD600N16KXPSA1
|
Infineon Technologies
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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5En existencias
22En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
- BSL308CH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.07
-
67,440En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSL308CH6327XTSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
|
|
67,440En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 80V, 15mOhms, SOT-1205-8 Standard Level MOSFET
- BUK7K15-80EX
- Nexperia
-
1:
$2.31
-
29,746En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK7K15-80EX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 80V, 15mOhms, SOT-1205-8 Standard Level MOSFET
|
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29,746En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
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Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74
- PIMC31,115
- Nexperia
-
1:
$0.52
-
200,438En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PIMC31115
|
Nexperia
|
Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74
|
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200,438En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ1912AEEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.87
-
128,649En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
128,649En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
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