Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

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IPD80R2K8CEATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
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IPAN70R360P7SXKSA1

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SPW55N80C3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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Infineon Technologies
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IPW90R120C3XKSA1
Infineon Technologies
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SPB11N60C3
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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

SPW20N60C3
Infineon Technologies
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IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
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IPA60R099P6XKSA1

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IPD60R600P7SAUMA1
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726-IPD60R600P7SAUMA

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IPA50R500CEXKSA2
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IPA50R500CEXKSA2

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726-IPA50R500CEXKSA2

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IPB90R340C3ATMA2
Infineon Technologies
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NRND

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IPB90R340C3ATMA2

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726-IPB90R340C3ATMA2

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
SPP20N60C3XKSA1

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726-SPP20N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

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IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
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IPD60R280P7SAUMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
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IPN50R2K0CEATMA1

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726-IPN50R2K0CEATMA1

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IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
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IPA60R400CEXKSA1

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TO-220FP-3

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1 Channel

600 V

14.7 A

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Infineon Technologies
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IPA60R180P7SXKSA1

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726-IPA60R180P7SXKSA

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600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
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IPA60R230P6XKSA1

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Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16.8 A

538 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 A
1.9 A
2.4 A
3 A
5 A
5.1 A
6 A
8.5 A
9 A
9.9 A
10.1 A
11 A
11.1 A
12 A
12.5 A
13 A
13.8 A
14.7 A
15 A
16.8 A

77 mOhms
89 mOhms
113 mOhms
120 mOhms
144 mOhms
145 mOhms
170 mOhms
190 mOhms
214 mOhms
252 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
340 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
490 mOhms
538 mOhms
540 mOhms
600 mOhms
650 mOhms

3.8 nC
6 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
12 nC
13 nC
16.4 nC
18 nC
18.7 nC
20.5 nC
23 nC
25 nC
25.5 nC
28 nC
31 nC
32 nC
32.6 nC
44 nC
45 nC

5 W
6 W
6.9 W
7 W
26 W
26.5 W
28 W
30 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
41 W
42 W
53 W
82 W
83 W
92 W
119 W