Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 17

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.75 5,349En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB095N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB095N20NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	5,349En existencias	Cinta cortada $6.75 $3.93 $3.26 $2.90 Envase tipo carrete $2.60 $2.59	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	PG-TO263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	116 A	8.7 mOhms	20 V	4.5 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPB175N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.43 1,963En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB175N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB175N20NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	1,963En existencias	Cinta cortada $4.43 $2.27 $2.06 $1.74 Envase tipo carrete $1.63	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	61 A	15.5 mOhms	20 V	4.5 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	203 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPP095N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: $5.96 5,279En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPP095N20NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP095N20NM6AKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	5,279En existencias	$5.96 $3.13 $2.86 $2.42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	PG-TO220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	116 A	8.7 mOhms	20 V	4.5 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPTC068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.38 1,670En existencias 1,800Se espera el 12/8/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPTC068N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC068N20NM6ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	1,670En existencias 1,800Se espera el 12/8/2027	Cinta cortada $8.38 $4.54 $4.17 $4.08 $3.86 Envase tipo carrete $3.86 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	200 V	140 A	6.8 mOhms	20 V	4.5 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	319 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V ISC300N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.18 2,847En existencias 5,000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC300N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC300N20NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	2,847En existencias 5,000En pedido	Cinta cortada $3.18 $1.58 $1.43 $1.16 Ver Envase tipo carrete $1.04 $1.11 $1.04 $1.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SON-8	N-Channel	1 Channel	200 V	44 A	30 mOhms	20 V	4.5 V	17 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPB068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.56 4,839En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB068N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB068N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	4,839En existencias	Cinta cortada $7.56 $4.43 $4.07 $3.96 Envase tipo carrete $3.74 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3	N-Channel	1 Channel	200 V	134 A	6.3 mOhms	20 V	3.7 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPP069N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: $7.54 6,431En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP069N20NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP069N20NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	6,431En existencias	$7.54 $4.05 $3.71 $3.35	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	136 A	6.9 mOhms	20 V	3.7 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPP130N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: $5.02 735En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPP130N20NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP130N20NM6AKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	735En existencias	$5.02 $2.60 $2.36 $1.94	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	200 V	87 A	12 mOhms	20 V	4.5 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V IPP175N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: $4.09 322En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPP175N20NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP175N20NM6AKSA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	322En existencias	$4.09 $2.08 $1.87 $1.53 Ver $1.50 $1.47	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	61 A	15.5 mOhms	20 V	4.5 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	203 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPB339N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.62 8,468En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB339N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB339N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	8,468En existencias	Cinta cortada $3.62 $1.82 $1.65 $1.34 Envase tipo carrete $1.25	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	39 A	33.9 mOhms	20 V	4.5 V	15.9 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPF067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.27 985En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF067N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF067N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	985En existencias	Cinta cortada $8.27 $4.48 $4.12 $4.02 Envase tipo carrete $4.02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 600 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-7	N-Channel	1 Channel	200 V	138 A	6.2 mOhms	20 V	3.7 V	72 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.95 924En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF129N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF129N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	924En existencias	Cinta cortada $5.95 $3.13 $2.85 $2.59 Envase tipo carrete $2.44	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	200 V	87 A	12.9 mOhms	20 V	4.5 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPP339N20NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: $3.32 2,287En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP339N20NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP339N20NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	2,287En existencias	$3.32 $1.66 $1.50 $1.20 Ver $1.17 $1.10	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	39 A	33.9 mOhms	20 V	4.5 V	15.9 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V IPT129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.03 1,311En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT129N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT129N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	1,311En existencias	Cinta cortada $6.03 $3.17 $2.90 $2.64 $2.54 Envase tipo carrete $2.49	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	200 V	87 A	12.9 mOhms	20 V	3.7 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V ISC130N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.64 4,312En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC130N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC130N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	4,312En existencias	Cinta cortada $5.64 $3.13 $2.86 $2.60 Envase tipo carrete $2.60 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8-3	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	13 mOhms	20 V	4.5 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	242 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V ISZ520N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.12 6,698En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISZ520N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ520N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	6,698En existencias	Cinta cortada $2.12 $1.10 $0.951 $0.78 Ver Envase tipo carrete $0.656 $0.753 $0.683 $0.656	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	200 V	26 A	52 mOhms	20 V	3.7 V	9.9 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V ISC151N20NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.20 9,380Se espera el 1/4/2027	N.º de artículo del Fabricante ISC151N20NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC151N20NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 200v mosfets	Hoja de datos	9,380Se espera el 1/4/2027	Cinta cortada $5.20 $2.70 $2.46 $2.16 Envase tipo carrete $1.76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	200 V	74 A	15.1 mOhms	20 V	3.7 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte