Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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600 V
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- 55 C
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4.5 V
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DPAK-3 (TO-252-3)
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800 V
4.5 A
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2.5 V
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VSON-4
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600 V
14 A
153 mOhms
20 V
3.5 V
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50 A
40 mOhms
20 V
3.5 V
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TO-247-3
N-Channel
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600 V
37 A
69 mOhms
20 V
3 V
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950 V
6 A
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20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
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700 V
8.5 A
490 mOhms
30 V
2.5 V
10.5 nC
- 40 C
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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800 V
2.5 A
2 Ohms
20 V
2.5 V
7.5 nC
- 55 C
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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800 V
7 A
640 mOhms
20 V
2.5 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
51 W
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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800 V
6 A
770 mOhms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
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45 W
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SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
40 A
60 mOhms
20 V
3.5 V
79 nC
- 40 C
+ 150 C
219 W
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SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
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600 V
19 A
149 mOhms
20 V
3 V
25 nC
- 40 C
+ 150 C
81 W
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SMD/SMT
N-Channel
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650 V
5.2 A
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20 V
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SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
800 V
4 A
1.2 Ohms
20 V
2.5 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
7 W
Enhancement
CoolMOS
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TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
45 A
50 mOhms
20 V
4 V
102 nC
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
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31 A
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20 V
3 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
117 W
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CoolMOS
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IPB65R115CFD7AATMA1
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
21 A
115 mOhms
20 V
4 V
41 nC
- 40 C
+ 150 C
114 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
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IPDD60R080G7XTMA1
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Si
SMD/SMT
HDSOP-10
N-Channel
1 Channel
600 V
29 A
80 mOhms
20 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
174 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R900P7XKSA1
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
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20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
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CoolMOS
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