Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 59

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
1: $6.90
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IPB027N10N3 G

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726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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$6.90

$4.52

$3.33

$2.96

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1: $1.21
119,978En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NS G

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726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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119,978En existencias

Cinta cortada

$1.21

$0.858

$0.534

$0.368

Envase tipo carrete

$0.237

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
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3,433En existencias

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IPB090N06N3 G

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726-IPB090N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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$2.23

$1.37

$1.02

$0.812

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSC360N15NS3 G

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726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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$1.10

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
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BSZ018NE2LS

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726-BSZ018NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

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BSC118N10NS G
Infineon Technologies
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NRND

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BSC118N10NS G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
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BSC076N06NS3 G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
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IPB037N06N3 G

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726-IPB037N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
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NRND

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BSC035N04LS G

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
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NRND

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BSC265N10LSF G

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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2,145En existencias

Cinta cortada

$2.21

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS

BSC0909NS
Infineon Technologies
1: $1.01
8,490En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC0909NS

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726-BSC0909NS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

8,490En existencias

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$1.01

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ050N03LS G
Infineon Technologies
1: $1.49
5,341En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSZ050N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ050N03LSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

5,341En existencias

Cinta cortada

$1.49

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$0.319

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MouseReel Disponible

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TSDSON-8

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NSI
Infineon Technologies
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7,674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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7,674En existencias

Cinta cortada

$1.34

$0.626

$0.555

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Envase tipo carrete

$0.322

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Min.: 1
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TDSON-8

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1 Channel

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2 V

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+ 150 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC109N10NS3 G
Infineon Technologies
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199En existencias
20,000Se espera el 24/6/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC109N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC109N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

199En existencias

20,000Se espera el 24/6/2027

Cinta cortada

$2.44

$1.19

$1.07

$0.851

Ver

Envase tipo carrete

$0.729

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

100 V

63 A

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20 V

3.5 V

35 nC

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.07
43,253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC110N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

43,253En existencias

Cinta cortada

$1.07

$0.659

$0.434

$0.341

Envase tipo carrete

$0.229

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Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

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20 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: $2.41
Plazo de entrega 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

Plazo de entrega 52 Semanas

Cinta cortada

$2.41

$1.53

$1.04

$0.836

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Envase tipo carrete

$0.664

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Min.: 1
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SMD/SMT

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2 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.14
22,984En existencias
25,000Se espera el 28/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC520N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC520N15NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

22,984En existencias

25,000Se espera el 28/1/2027

Cinta cortada

$2.14

$1.03

$0.92

$0.731

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Envase tipo carrete

$0.606

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

21 A

52 mOhms

20 V

3 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LS
Infineon Technologies
1: $1.35
10,077En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ065N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

10,077En existencias

Cinta cortada

$1.35

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$0.547

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Envase tipo carrete

$0.288

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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2 V

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- 55 C

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ097N04LS G
Infineon Technologies
1: $1.22
63,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ097N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

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Cinta cortada

$1.22

$0.749

$0.493

$0.387

Envase tipo carrete

$0.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

14.2 mOhms

20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

OptiMOS

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79 W
83 W
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