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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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2,100En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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2,289En existencias
3,000Se espera el 23/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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158En existencias
Min.: 1
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Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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20,602En existencias
Min.: 1
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Panjit Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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6,235En existencias
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Min.: 1
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: 800

onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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2,784En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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23En existencias
Min.: 1
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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41,533En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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251,478En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 1,290
: 3,000

ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
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1,258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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43,517En existencias
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Min.: 1
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: 2,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
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67,694En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D
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29,889En existencias
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Min.: 1
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: 1,500


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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130,693En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
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181,173En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
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127,570En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
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171,834En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
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26,289En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Vishay Semiconductors Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
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37,927En existencias
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Min.: 1
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: 2,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
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929,468En existencias
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Máx.: 850
: 3,000

Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 16mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
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22En existencias
39Se espera el 16/10/2026
Min.: 1
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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2,997En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
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35,546En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 420
: 3,000


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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51,294En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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25,493En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500