|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R2
- MACOM
-
1:
$117.98
-
90En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
|
90En existencias
|
|
|
$117.98
|
|
|
$98.14
|
|
|
$90.66
|
|
|
$90.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
80 mOhms
|
2.62 GHz to 2.69 GHz
|
13.5 dB
|
400 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
HB2SOF-8-1
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
- DU2820S
- MACOM
-
1:
$74.57
-
22En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
DU2820S
N.º de artículo de Mouser
937-DU2820S
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
|
|
22En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
24 A
|
65 V
|
|
175 MHz
|
13 dB
|
20 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
- MWT-LN300
- CML Micro
-
10:
$33.61
-
50En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN300
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
|
|
50En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
120 mA
|
4 V
|
|
26 GHz
|
10 dB, 13 dB
|
16 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
- MWT-LN600
- CML Micro
-
10:
$34.81
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN600
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
175 mA
|
4.5 V
|
|
26 GHz
|
8 dB, 11 dB
|
20 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH8F
- CML Micro
-
10:
$90.79
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
250 mA to 300 mA
|
8 V
|
|
18 GHz
|
11 dB
|
30 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH9F
- CML Micro
-
10:
$71.64
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH9F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
180 mA to 220 mA
|
7.5 V
|
|
26 GHz
|
13 dB
|
28 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF463BP1G
- ARF463BP1G
- Microchip Technology
-
1:
$45.03
-
22En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463BP1G
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
|
22En existencias
|
|
|
$45.03
|
|
|
$41.54
|
|
|
$30.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
9 A
|
500 V
|
|
100 MHz
|
15 dB
|
100 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
Microchip Technology ARF468AG
- ARF468AG
- Microchip Technology
-
1:
$65.50
-
1En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF468AG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
|
|
1En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
Microchip Technology VRF141
- VRF141
- Microchip Technology
-
1:
$62.87
-
24En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF141
N.º de artículo de Mouser
494-VRF141
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
|
|
24En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
20 A
|
80 V
|
|
175 MHz
|
22 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
- RF5L15120CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$192.66
-
18En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
|
|
18En existencias
|
|
|
$192.66
|
|
|
$157.30
|
|
|
$157.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
95 V
|
1 Ohms
|
1 GHz
|
20 dB
|
120 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
LBB-5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF465BG
- ARF465BG
- Microchip Technology
-
1:
$61.82
-
22En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF465BG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
|
|
22En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
6 A
|
1.2 kV
|
|
60 MHz
|
13 dB
|
150 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
MACOM MRF175GU
- MRF175GU
- MACOM
-
1:
$268.18
-
4En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-MRF175GU
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
|
|
4En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
- CLF24H4LS300PU
- Ampleon
-
1:
$290.07
-
120En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-CLF24H4LS300PU
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
|
|
120En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
GaN SiC
|
|
50 V
|
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
16 dB
|
300 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT1214B-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF5L08350CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$172.50
-
110En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
110En existencias
|
|
|
$172.50
|
|
|
$146.48
|
|
|
$140.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
110 V
|
1 Ohms
|
1 GHz
|
19 dB
|
400 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
B4E-5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
- BLF981SU
- Ampleon
-
1:
$133.72
-
55En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
|
|
55En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
1.4 uA
|
108 V
|
|
|
24 dB
|
170 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT-467B-2
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
- BLF981U
- Ampleon
-
1:
$133.72
-
31En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo del Fabricante
BLF981U
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
|
|
31En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
1.4 uA
|
108 V
|
|
|
24 dB
|
170 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT-467C-2
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
- BLP981XY
- Ampleon
-
1:
$62.96
-
58En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
|
|
58En existencias
|
|
|
$62.96
|
|
|
$49.32
|
|
|
$46.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
1.4 uA
|
108 V
|
|
|
23.8 dB
|
170 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$172.49
-
20En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
20En existencias
|
|
|
$172.49
|
|
|
$140.28
|
|
|
$140.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
65 V
|
1 Ohms
|
1.6 GHz
|
14 dB
|
180 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
B4E-5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
- ART1K9FHU
- Ampleon
-
1:
$259.51
-
189En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART1K9FHU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
|
|
189En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
55 V
|
69 mOhms
|
1 MHz to 500 MHz
|
24.6 dB
|
1.9 kW
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT539A-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
- ART2K0TFEGJ
- Ampleon
-
1:
$253.21
-
82En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0TFEGJ
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
|
|
82En existencias
|
|
|
$253.21
|
|
|
$247.43
|
|
|
$247.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
107 mOhms
|
|
29 dB
|
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
ACC-1230-6G-2-7
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
- ART150PEGXY
- Ampleon
-
1:
$63.77
-
144En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEGXY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
|
|
144En existencias
|
|
|
$63.77
|
|
|
$50.89
|
|
|
$47.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
497 mOhms
|
1 MHz to 650 MHz
|
31.2 dB
|
150 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2G-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
- ART150PEXY
- Ampleon
-
1:
$63.75
-
72En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEXY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
|
|
72En existencias
|
|
|
$63.75
|
|
|
$50.88
|
|
|
$47.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
497 mOhms
|
1 MHz to 650 MHz
|
31.2 dB
|
150 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY
- ART700FHSU
- Ampleon
-
1:
$186.22
-
58En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART700FHSU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHS/SOT1214/TRAY
|
|
58En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
55 V
|
171 mOhms
|
1 MHz to 450 MHz
|
28.6 dB
|
700 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT1214B-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PEG/OMP780/REEL
- ART800PEGY
- Ampleon
-
1:
$145.39
-
82En existencias
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Nuevo en Mouser
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N.º de artículo de Mouser
94-ART800PEGY
Nuevo en Mouser
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PEG/OMP780/REEL
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82En existencias
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$145.39
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$123.28
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$115.24
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Min.: 1
Mult.: 1
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Dual N-Channel
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LDMOS
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65 V
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200 mOhms
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1 MHz to 650 MHz
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29.2 dB
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800 W
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+ 225 C
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SMD/SMT
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OMP-780-4G-1-4
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
- B11G3742N81DYZ
- Ampleon
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1:
$73.13
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219En existencias
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Nuevo en Mouser
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N.º de artículo de Mouser
94-B11G3742N81DYZ
Nuevo en Mouser
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
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219En existencias
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$73.13
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$59.50
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$54.11
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$53.89
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Min.: 1
Mult.: 1
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LDMOS
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65 V
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3.7 GHz to 4.2 GHz
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36 dB
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48.5 dBm
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+ 200 C
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SMD/SMT
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QFN-36
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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