References Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 30 A 500 V 330 mOhms 30 MHz - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology DRF1310-CLASS-D
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 13.56 MHz Reference Design Kit No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1