|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
- AFV09P350-04NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
$181.68
-
244En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
|
|
244En existencias
|
|
|
$181.68
|
|
|
$153.04
|
|
|
$145.86
|
|
|
$141.55
|
|
|
Ver
|
|
|
$113.28
|
|
|
$113.29
|
|
|
$113.28
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
OM-780-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$357.71
-
41En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
41En existencias
|
|
|
$357.71
|
|
|
$308.83
|
|
|
$296.64
|
|
|
$237.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
- AFM906NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$3.71
-
1,038En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
|
1,038En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.31
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.79
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.16
|
|
|
$1.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
HVSON-16
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
- AFT09MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$21.50
-
487En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
|
|
487En existencias
|
|
|
$21.50
|
|
|
$17.15
|
|
|
$16.06
|
|
|
$13.98
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.79
|
|
|
$13.80
|
|
|
$13.79
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
- MMRF1014NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$21.20
-
584En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF1014NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
|
|
584En existencias
|
|
|
$21.20
|
|
|
$16.90
|
|
|
$15.83
|
|
|
$14.65
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.46
|
|
|
$14.08
|
|
|
$13.87
|
|
|
$13.46
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
- AFT05MP075GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$35.32
-
313En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
|
|
313En existencias
|
|
|
$35.32
|
|
|
$28.62
|
|
|
$26.94
|
|
|
$25.10
|
|
|
Ver
|
|
|
$23.32
|
|
|
$24.22
|
|
|
$23.32
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
TO-270-WBG-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
- MRFX1K80GNR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$333.35
-
5En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80GNR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
|
|
5En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
OM-1230G-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$50.20
-
3,598En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
3,598En existencias
|
|
|
$50.20
|
|
|
$41.05
|
|
|
$36.20
|
|
|
$34.61
|
|
|
Ver
|
|
|
$33.66
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$99.62
-
359En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
359En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
- MRFX1K80HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$458.01
-
65En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
|
|
65En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$4.27
-
8,571En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
8,571En existencias
|
|
|
$4.27
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.67
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.53
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
- AFT09MS007NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$11.56
-
5,623En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
|
|
5,623En existencias
|
|
|
$11.56
|
|
|
$8.95
|
|
|
$8.30
|
|
|
$7.58
|
|
|
Ver
|
|
|
$6.85
|
|
|
$7.24
|
|
|
$7.03
|
|
|
$6.85
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
- MRF1K50HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$446.86
-
46En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
|
|
46En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
NI-1230H-4S
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
- MRFE6S9060NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$106.83
-
535En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
|
|
535En existencias
|
|
|
$106.83
|
|
|
$89.17
|
|
|
$84.76
|
|
|
$79.93
|
|
|
Ver
|
|
|
$79.88
|
|
|
$79.91
|
|
|
$79.88
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
TO-270
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
- MRFE6VP6300HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$542.40
-
527En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
|
|
527En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
NI-780-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
- MRFX1K80NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$385.28
-
21En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
|
|
21En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$49.06
-
175En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
|
|
175En existencias
|
|
|
$49.06
|
|
|
$40.05
|
|
|
$37.80
|
|
|
$35.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$33.44
|
|
|
$34.85
|
|
|
$33.44
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
TO-270-WB-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$36.51
-
510En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
510En existencias
|
|
|
$36.51
|
|
|
$29.49
|
|
|
$27.73
|
|
|
$25.81
|
|
|
Ver
|
|
|
$24.32
|
|
|
$24.89
|
|
|
$24.32
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$739.35
-
50En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
50En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR6
- NXP Semiconductors
-
1:
$346.43
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
|
$346.43
|
|
|
$296.72
|
|
|
$284.64
|
|
|
$282.02
|
|
|
Ver
|
|
|
$264.78
|
|
|
$277.03
|
|
|
$264.78
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
- MRFE6VP61K25HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$471.21
-
120En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
|
|
120En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101BN
- NXP Semiconductors
-
1:
$44.27
-
253En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
253En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$26.06
-
49En existencias
-
500Se espera el 23/2/2026
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
49En existencias
500Se espera el 23/2/2026
|
|
|
$26.06
|
|
|
$20.87
|
|
|
$19.58
|
|
|
$18.15
|
|
|
Ver
|
|
|
$16.26
|
|
|
$17.47
|
|
|
$16.26
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
NXP Semiconductors MHT1803B
- MHT1803B
- NXP Semiconductors
-
1:
$44.42
-
368En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B
|
NXP Semiconductors
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
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368En existencias
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$44.42
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$36.14
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$33.90
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$32.22
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Ver
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$31.98
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Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
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Through Hole
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TO-247-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
- MRF6V10010NR4
- NXP Semiconductors
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1:
$193.69
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1En existencias
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N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4
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NXP Semiconductors
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
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1En existencias
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$193.69
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$164.29
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$156.96
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$155.22
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$148.89
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Ver
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Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
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Screw Mount
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PLD-1.5
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