Reel MOSFETs de SiC

Resultados: 489
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 70En existencias
750Se espera el 14/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 88En existencias
800Se espera el 25/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK 24En existencias
750Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 220 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 164 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK 49En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK 30En existencias
750En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 87En existencias
450Se espera el 25/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 450

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 600En existencias
750Se espera el 28/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 357 A 5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 342 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263 1,207En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 210En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 1,260En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 80 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 175 C 714 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC 2,010En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC 2,008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 1,285En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 3,914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 1,816En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 1,470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 1,145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 301En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101