Microchip Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Resultados: 52
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1 60En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 30 A 1 kV 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 50 A 180 V 30 MHz 25 dB 400 W - 65 C + 150 C Screw Mount

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source 70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 6.5 A 1 kV 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology VRF150MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174 15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 150 MHz 18 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology ARF465AG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source 281En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 6 A 1.2 kV 60 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology VRF2933MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 42 A 180 V 150 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology ARF468AG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264 26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Microchip Technology ARF465BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source 27En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 6 A 1.2 kV 60 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1 7En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 8 A 1 kV 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source 121En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 14 A 500 V 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source 70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 14 A 500 V 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174 227En existencias
196Se espera el 15/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 150 MHz 18 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 35En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 42 A 180 V 30 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology ARF461BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source 60En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 6.5 A 1 kV 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology VRF141
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174 27En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 80 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1 3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 60 A 500 V 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 37En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 5En existencias
540En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C 10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 10 A 500 V 150 MHz 15 dB 900 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 22En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
20Se espera el 23/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 10 A 500 V 150 MHz 15 dB 900 W - 55 C + 175 C Screw Mount

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 25

N-Channel Si 13 A 1 kV 1 Ohms 45 MHz 16 dB 300 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T2 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si