Tube Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 4,965
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Hoja de datos
411En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Hoja de datos
299En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Hoja de datos
2,102En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
1,901En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 295 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM
Hoja de datos
1,908En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
Hoja de datos
7,438En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET
Hoja de datos
10,888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement QFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
Hoja de datos
273En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V N-Ch MOSFET
Hoja de datos
16,463En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 250 V 59 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 392 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Hoja de datos
6,774En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
Hoja de datos
13,277En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Hoja de datos
726En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
Hoja de datos
1,485En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
4,424En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Hoja de datos
3,894En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET
Hoja de datos
2,805En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
2,981En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 80 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Linear Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 4A P-CH MOSFET
Hoja de datos
Comentarios de Producto
76,969En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 4 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 4th Gen, Fast Recover
Hoja de datos
1,963En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
2,862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 mA 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
931En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
1,710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
1,441En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET
Hoja de datos
1,707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
1,690En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube