Reel Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 1,212En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 144 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V 5,039En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V 2,093En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg 1,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 100 V 40 A 11.1 mOhms 4 V 28 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg 2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT uSO8-FL N-Channel 100 V 40 A 11.1 mOhms 4 V 28 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 60V 12A 2,030En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 119 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1,496En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 107 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications 547En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor 350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 55 mOhms 20 V 4.7 V 51 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A 2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 19 mOhms 4 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor 700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms 20 V 4.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 186 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V 523En existencias
5,000Se espera el 2/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL 1,332En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor 700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms 20 V 4.7 V 43 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package 131En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
: 3,000

AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL 1,122En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection 27,041En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 40,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 890 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1.2 V - 55 C + 150 C 450 mW Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 199En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V 217En existencias
500Se espera el 26/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SI2318HDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 6,786En existencias
6,000Se espera el 28/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated DMP21D1UFB4Q-7B
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K 7,496En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated DMT3009LSSQ-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K 1,964En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape