Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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IPT60R105CFD7XTMA1
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IPW60R055CFD7XKSA1
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Tube

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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IPL60R060CFD7AUMA1

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829En existencias

3,000Se espera el 9/4/2026

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$6.77

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IPL60R075CFD7AUMA1
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1: $5.35
1,784En existencias

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IPL60R075CFD7AUMA1

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$5.35

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189 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $5.01
2,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

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$5.01

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$2.10

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $3.22
3,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

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3,364En existencias

Cinta cortada

$3.22

$2.10

$1.46

$1.24

Envase tipo carrete

$1.15

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

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1 Channel

600 V

14 A

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28 nC

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+ 150 C

85 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.04
1,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

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1,047En existencias

$6.04

$3.21

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$2.81

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1 Channel

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.02
803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R090CFD7XKS

Infineon Technologies

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803En existencias

$5.02

$2.62

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$2.19

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

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51 nC

- 55 C

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $7.83
740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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740En existencias

Cinta cortada

$7.83

$5.33

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Envase tipo carrete

$3.82

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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1 Channel

600 V

52 A

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4 V

79 nC

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+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R055CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $6.15
2,543En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R055CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R055CFD7XTM

Infineon Technologies

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Hoja de datos

2,543En existencias

Cinta cortada

$6.15

$4.38

$3.19

$3.08

Envase tipo carrete

$2.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.79
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,000En existencias

Cinta cortada

$4.79

$3.74

$2.68

$2.61

$2.47

Envase tipo carrete

$2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

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4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $15.91
447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R018CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R018CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

447En existencias

$15.91

$10.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

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N-Channel

1 Channel

600 V

101 A

18 mOhms

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $13.39
418En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

418En existencias

$13.39

$7.70

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

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650 V

77 A

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

796En existencias

$10.27

$5.99

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TO-247-3

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1 Channel

600 V

63 A

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278 W

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.60
727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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727En existencias

$8.60

$5.04

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- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
7 A
8 A
9 A
11 A
14 A
16 A
18 A
21 A
22 A
24 A
25 A
28 A
31 A
33 A
36 A
38 A
40 A
44 A
50 A

18 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
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41 mOhms
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57 mOhms
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66 mOhms
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140 mOhms

24 W
26 W
32 W
43 W
52 W
75 W
76 W
83 W
85 W
92 W
95 W
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125 W
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140 W
147 W
156 W
160 W
171 W