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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Marca = STMicroelectronics

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa

STF35N60DM2
STMicroelectronics
1: $5.30
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STF35N60DM2

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511-STF35N60DM2

STMicroelectronics

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N-Channel

1 Channel

600 V

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+ 150 C

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF36N60M6
STMicroelectronics
1: $7.02
319En existencias

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STF36N60M6

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511-STF36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package

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$7.02

$4.75

$3.46

$3.28

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

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- 20 V, 20 V

3.25 V

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+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

STF3N62K3
STMicroelectronics
1: $1.58
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STF3N62K3

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511-STF3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

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$0.659

$0.529

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TO-220-3

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620 V

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+ 150 C

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STF5N95K5
STMicroelectronics
1: $2.50
865En existencias

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STF5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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$2.50

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TO-220-3

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3.5 A

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25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7LN80K5
STMicroelectronics
1: $2.64
1,428En existencias

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STF7LN80K5

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511-STF7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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$2.64

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25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

STF7N80K5
STMicroelectronics
1: $2.91
986En existencias

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STF7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

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$2.91

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

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- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N90K5
STMicroelectronics
1: $3.08
878En existencias

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STF7N90K5

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511-STF7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

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7 A

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A

STF8NK100Z
STMicroelectronics
1: $5.25
533En existencias
1,000Se espera el 26/3/2026

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STF8NK100Z

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511-STF8NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A

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1,000Se espera el 26/3/2026

$5.25

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$2.50

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

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6.5 A

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Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c

STFH18N60M2
STMicroelectronics
1: $2.92
504En existencias

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STFH18N60M2

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511-STFH18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c

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$1.75

$1.27

$1.08

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

255 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n

STFU24N60M2
STMicroelectronics
1: $3.19
594En existencias

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STFU24N60M2

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511-STFU24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n

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$3.19

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$1.44

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW38N65M5
STMicroelectronics
1: $6.35
137En existencias

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STFW38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

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$4.87

$3.47

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TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

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- 25 V, 25 V

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71 nC

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57 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: $6.56
199En existencias
1,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STFW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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1,200En pedido

$6.56

$3.87

$3.23

$3.13

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TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

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4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

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+ 150 C

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Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

STFW8N120K5
STMicroelectronics
1: $7.29
139En existencias

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STFW8N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

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$7.29

$5.39

$3.79

$3.43

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Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

STH140N8F7-2
STMicroelectronics
1: $3.44
282En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH140N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH140N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

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SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

STH150N10F7-2
STMicroelectronics
1: $4.05
225En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH150N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH150N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

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$4.05

$2.66

$1.88

$1.69

Envase tipo carrete

$1.58

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SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH170N8F7-2
STMicroelectronics
1: $2.70
59En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH170N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH170N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

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$2.70

$1.85

$1.57

$1.51

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$1.42

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SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics
1: $5.66
97En existencias
1,000Se espera el 6/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH275N8F7-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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97En existencias

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$5.66

$4.25

$3.07

Envase tipo carrete

$2.87

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET

STH320N4F6-6
STMicroelectronics
1: $4.96
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH320N4F6-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH320N4F6-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET

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548En existencias

Cinta cortada

$4.96

$3.30

$2.35

$2.22

Envase tipo carrete

$2.08

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STHU47N60DM6AG
STMicroelectronics
1: $6.50
54En existencias

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STHU47N60DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU47N60DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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Cinta cortada

$6.50

$4.58

$3.30

Envase tipo carrete

$3.19

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Carrete: 600

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

36 A

80 Ohms

- 25 V, 25 V

4.75 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V

STL10N3LLH5
STMicroelectronics
1: $1.43
2,240En existencias
6,000Se espera el 31/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
STL10N3LLH5

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N3LLH5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V

Hoja de datos

2,240En existencias

6,000Se espera el 31/8/2026

Cinta cortada

$1.43

$0.90

$0.598

$0.47

$0.426

Envase tipo carrete

$0.365

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SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

30 V

9 A

19 mOhms

- 22 V, 22 V

1 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

STL115N10F7AG
STMicroelectronics
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372En existencias
3,000Se espera el 24/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
STL115N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL115N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

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372En existencias

3,000Se espera el 24/3/2026

Cinta cortada

$3.20

$2.09

$1.46

$1.24

$1.18

Envase tipo carrete

$1.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

107 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

72.5 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep

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PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

30 V

11 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

STripFET

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

4.8 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21.5 A

135 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

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MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

STL3N10F7
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PowerFLAT-2x2-6

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D2PAK-3 (TO-263-3)
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H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W