STF35N60DM2

STMicroelectronics
511-STF35N60DM2
STF35N60DM2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP packa

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Through Hole
STF35N60DM2
Marca: STMicroelectronics
Modo canal: Enhancement
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10.7 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 28 A
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Número de canales: 1 Channel
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Empaquetado: Tube
Dp - Disipación de potencia : 40 W
Tipo de producto: MOSFETs
Qg - Carga de puerta: 54 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 110 mOhms
Tiempo de subida: 17 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Si
Nombre comercial: MDmesh
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 68 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 21.2 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 600 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
Peso de la unidad: 2 g
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

En existencias: 538

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

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Precio ext.
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$2.60 $2,600.00
$2.56 $5,120.00
5,000 Presupuesto