STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET
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2,769En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 304 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET
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2,554En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 373 A 1.1 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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531En existencias
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 95 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
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580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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366En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 95 A - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
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1,195En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener 5 Power
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724En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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185En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTD HIGH VOLTAGE 1,992En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 5.4 A - 55 C + 150 C Enhancement
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
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704En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 375 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH
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914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 41 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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841En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 188 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 29 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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963En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
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2,440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.5 A 1.5 Ohms - 25 V, 25 V 2.25 V 6 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
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710En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3
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1,698En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 3.4 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
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946En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos
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870En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
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2,331En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
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18,149En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29.5 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
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8,894En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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2,643En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
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40,918En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 16 mOhms - 22 V, 22 V 1.5 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
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33,696En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
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98,471En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel