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STWA75N60DM6

Name: STMicroelectronics STWA75N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA75N60DM6
Price: 11.17 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STWA75N60DM6

Fabricante N.º:

STWA75N60DM6

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	72 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	36 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.25 V
Qg - Carga de puerta:	117 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	446 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	STWA75N60DM6
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	6 g

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STWA75N60DM6 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$11.17	$11.17
	$6.23	$62.30
	$5.75	$575.00
	$5.64	$3,384.00

STWA75N60DM6

Fabricante: STMicroelectronics

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea Complete su diseño

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