Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

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Resultados: 27
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V 603En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 444En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 12,627En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2 13,872En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 6,598En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS 5,565En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8 12,622En existencias
8,000Se espera el 2/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,702En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 1,070En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 3,493En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 222En existencias
720Se espera el 30/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 332En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,784En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8 3,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 1,697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 1,157En existencias
2,000Se espera el 9/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 740En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 806En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 727En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 2,153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
4,000Se espera el 27/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel