|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
- AFM907NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$5.17
-
20,767En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
NRND
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
|
|
20,767En existencias
|
|
|
$5.17
|
|
|
$3.92
|
|
|
$3.61
|
|
|
$3.27
|
|
|
$2.49
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.10
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.31
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DFN-16
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
- AFV09P350-04NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
$181.68
-
244En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
|
|
244En existencias
|
|
|
$181.68
|
|
|
$153.04
|
|
|
$145.86
|
|
|
$141.55
|
|
|
Ver
|
|
|
$116.13
|
|
|
$116.14
|
|
|
$116.13
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
OM-780-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
- AFT09MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$23.70
-
487En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
|
|
487En existencias
|
|
|
$23.70
|
|
|
$18.90
|
|
|
$17.70
|
|
|
$13.99
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.80
|
|
|
$13.84
|
|
|
$13.80
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
- AFM906NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$3.71
-
1,038En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
|
1,038En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.31
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.83
|
|
|
$2.29
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
HVSON-16
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$390.20
-
41En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
41En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
- MMRF1014NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$23.11
-
784En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF1014NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
|
|
784En existencias
|
|
|
$23.11
|
|
|
$18.42
|
|
|
$17.25
|
|
|
$15.97
|
|
|
Ver
|
|
|
$14.63
|
|
|
$15.35
|
|
|
$14.98
|
|
|
$14.63
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
- MRFX1K80GNR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$333.37
-
5En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80GNR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
|
|
5En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
OM-1230G-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
- BFU530WX
- NXP Semiconductors
-
1:
$0.47
-
20,826En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-BFU530WX
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
|
|
20,826En existencias
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.317
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.249
|
|
|
$0.238
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.241
|
|
|
$0.223
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-323-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
- AFT05MP075GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$38.54
-
313En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
|
|
313En existencias
|
|
|
$38.54
|
|
|
$31.21
|
|
|
$29.35
|
|
|
$27.35
|
|
|
Ver
|
|
|
$24.12
|
|
|
$26.39
|
|
|
$24.12
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-WBG-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
- BFU530WF
- NXP Semiconductors
-
1:
$0.55
-
9,945En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-BFU530WF
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
|
|
9,945En existencias
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.339
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.162
|
|
|
$0.096
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.144
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.118
|
|
|
$0.092
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-323-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$50.20
-
3,618En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
3,618En existencias
|
|
|
$50.20
|
|
|
$41.05
|
|
|
$36.20
|
|
|
$34.61
|
|
|
Ver
|
|
|
$33.66
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$99.62
-
370En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
370En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
- MRFX1K80HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$458.01
-
65En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
|
|
65En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$4.27
-
8,571En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
8,571En existencias
|
|
|
$4.27
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.67
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.53
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
- AFT09MS007NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$11.56
-
5,633En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
|
|
5,633En existencias
|
|
|
$11.56
|
|
|
$8.95
|
|
|
$8.30
|
|
|
$7.58
|
|
|
Ver
|
|
|
$6.85
|
|
|
$7.24
|
|
|
$7.03
|
|
|
$6.85
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
- MRF1K50HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$446.86
-
46En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
|
|
46En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
NI-1230H-4S
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
- MRFE6S9060NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$106.83
-
535En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
|
|
535En existencias
|
|
|
$106.83
|
|
|
$89.17
|
|
|
$84.76
|
|
|
$79.93
|
|
|
Ver
|
|
|
$79.88
|
|
|
$79.91
|
|
|
$79.88
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
TO-270
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
- MRFE6VP6300HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$542.40
-
527En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
|
|
527En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
NI-780-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
- MW6S004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$27.46
-
1,352En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
841-MW6S004NT1
NRND
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
|
|
1,352En existencias
|
|
|
$27.46
|
|
|
$22.01
|
|
|
$20.65
|
|
|
$19.15
|
|
|
Ver
|
|
|
$18.01
|
|
|
$18.44
|
|
|
$18.01
|
|
|
$18.01
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
- MRFX1K80NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$385.28
-
21En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
|
|
21En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$49.06
-
175En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
|
|
175En existencias
|
|
|
$49.06
|
|
|
$40.05
|
|
|
$37.80
|
|
|
$35.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$33.44
|
|
|
$34.85
|
|
|
$33.44
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-WB-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$36.51
-
457En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
457En existencias
|
|
|
$36.51
|
|
|
$29.49
|
|
|
$27.73
|
|
|
$25.81
|
|
|
Ver
|
|
|
$24.32
|
|
|
$24.89
|
|
|
$24.32
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR5
- NXP Semiconductors
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1:
$739.35
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50En existencias
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N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
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NXP Semiconductors
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
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50En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
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Si
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SMD/SMT
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NI-1230
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N-Channel
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR6
- NXP Semiconductors
-
1:
$346.43
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6
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NXP Semiconductors
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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$346.43
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$296.72
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$284.64
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$282.02
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Ver
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$264.78
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$277.03
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$264.78
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Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
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Si
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SMD/SMT
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NI-1230
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N-Channel
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
- MRFE6VP61K25HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$471.21
-
121En existencias
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N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
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NXP Semiconductors
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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121En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
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Si
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Screw Mount
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NI-1230H-4
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N-Channel
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