|
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
- A5G18H610W19NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
$263.78
-
113En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-A5G18H610W19NR3
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
|
|
113En existencias
|
|
|
$263.78
|
|
|
$223.78
|
|
|
$212.76
|
|
|
$207.65
|
|
|
Ver
|
|
|
$199.55
|
|
|
$204.44
|
|
|
$199.55
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
OM-780-4S4S-8
|
|
|
|
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
- A5G19H605W19NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
$258.36
-
35En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-A5G19H605W19NR3
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
|
|
35En existencias
|
|
|
$258.36
|
|
|
$219.17
|
|
|
$208.38
|
|
|
$203.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$196.29
|
|
|
$200.76
|
|
|
$196.29
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
|
|
|
|
|
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
- A5G21H605W19NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
$258.48
-
208En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-A5G21H605W19NR3
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
|
|
208En existencias
|
|
|
$258.48
|
|
|
$219.28
|
|
|
$208.49
|
|
|
$203.48
|
|
|
Ver
|
|
|
$196.38
|
|
|
$200.86
|
|
|
$196.38
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
OM-780-4S4S-8
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$45.82
-
1,936En existencias
-
1,000Se espera el 26/8/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
1,936En existencias
1,000Se espera el 26/8/2026
|
|
|
$45.82
|
|
|
$37.47
|
|
|
$36.17
|
|
|
$34.12
|
|
|
Ver
|
|
|
$33.14
|
|
|
$32.24
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
- AFM907NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$4.75
-
16,990En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
|
|
16,990En existencias
|
|
|
$4.75
|
|
|
$3.61
|
|
|
$3.32
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.68
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DFN-16
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$45.56
-
516En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
|
|
516En existencias
|
|
|
$45.56
|
|
|
$37.07
|
|
|
$34.79
|
|
|
$34.32
|
|
|
Ver
|
|
|
$30.85
|
|
|
$32.55
|
|
|
$32.20
|
|
|
$30.85
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-WB-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$3.92
-
18,321En existencias
-
11,000Se espera el 7/12/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
18,321En existencias
11,000Se espera el 7/12/2026
|
|
|
$3.92
|
|
|
$2.95
|
|
|
$2.71
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT05MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$30.00
-
2,021En existencias
-
2,000En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
2,021En existencias
2,000En pedido
|
|
|
$30.00
|
|
|
$24.17
|
|
|
$22.60
|
|
|
$22.26
|
|
|
Ver
|
|
|
$19.89
|
|
|
$21.06
|
|
|
$20.41
|
|
|
$19.89
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
- AFT09MS007NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$7.70
-
Plazo de entrega 15 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
|
|
Plazo de entrega 15 Semanas
|
|
|
$7.70
|
|
|
$5.90
|
|
|
$5.09
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.74
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.42
|
|
|
$4.16
|
|
|
$3.93
|
|
|
$3.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$357.71
-
28En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
28En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
- MRFE6VP61K25HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$414.64
-
73En existencias
-
100Se espera el 1/12/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
|
|
73En existencias
100Se espera el 1/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
- MRFE6VP6300HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$336.74
-
116En existencias
-
250Se espera el 14/12/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
|
|
116En existencias
250Se espera el 14/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
NI-780-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
NXP Semiconductors MHT1803B
- MHT1803B
- NXP Semiconductors
-
1:
$39.29
-
259En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
|
|
259En existencias
|
|
|
$39.29
|
|
|
$31.88
|
|
|
$29.90
|
|
|
$29.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$27.73
|
|
|
$27.14
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
- A5G07H800W19NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
$287.60
-
30En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-A5G07H800W19NR3
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
|
|
30En existencias
|
|
|
$287.60
|
|
|
$243.99
|
|
|
$231.97
|
|
|
$226.40
|
|
|
Ver
|
|
|
$218.57
|
|
|
$223.25
|
|
|
$218.57
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
OM-780-4S4S-8
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101BN
- NXP Semiconductors
-
1:
$39.07
-
103En existencias
-
500Se espera el 3/9/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
103En existencias
500Se espera el 3/9/2026
|
|
|
$39.07
|
|
|
$31.79
|
|
|
$31.09
|
|
|
$28.88
|
|
|
Ver
|
|
|
$27.98
|
|
|
$27.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
- MRFX1K80NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$353.12
-
43En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
|
|
43En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT05MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$24.42
-
2,000En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
2,000En pedido
|
|
|
$24.42
|
|
|
$19.41
|
|
|
$14.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT09MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$21.50
-
114En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
114En existencias
|
|
|
$21.50
|
|
|
$17.15
|
|
|
$16.01
|
|
|
$15.70
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.16
|
|
|
$14.87
|
|
|
$14.30
|
|
|
$13.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V
- MRFE6S9060NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$99.90
-
1,000Se espera el 7/12/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V
|
|
1,000Se espera el 7/12/2026
|
|
|
$99.90
|
|
|
$81.75
|
|
|
$77.71
|
|
|
$77.53
|
|
|
Ver
|
|
|
$69.11
|
|
|
$73.27
|
|
|
$72.31
|
|
|
$69.11
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
TO-270
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
- AFT27S006NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$20.61
-
623En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
|
|
623En existencias
|
|
|
$20.61
|
|
|
$16.42
|
|
|
$15.30
|
|
|
$15.01
|
|
|
Ver
|
|
|
$12.80
|
|
|
$14.22
|
|
|
$13.67
|
|
|
$13.45
|
|
|
$12.80
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5W
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
- A5G26H605W19NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
$271.34
-
2En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-A5G26H605W19NR3
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
|
|
2En existencias
|
|
|
$271.34
|
|
|
$230.19
|
|
|
$218.86
|
|
|
$213.60
|
|
|
Ver
|
|
|
$206.16
|
|
|
$210.75
|
|
|
$206.16
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
OM-780-4S4S-8
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
- AFM906NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$3.93
-
97En existencias
-
1,000Se espera el 21/8/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
|
97En existencias
1,000Se espera el 21/8/2026
|
|
|
$3.93
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.10
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.98
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
HVSON-16
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V
- MRF6V10010NR4
- NXP Semiconductors
-
1:
$182.30
-
1En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V
|
|
1En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
PLD-1.5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$88.09
-
240Se espera el 7/9/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
240Se espera el 7/9/2026
|
|
|
$88.09
|
|
|
$73.41
|
|
|
$69.12
|
|
|
$69.11
|
|
|
Ver
|
|
|
$65.30
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
- MRFX1K80HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$419.88
-
735Se espera el 21/12/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
|
|
735Se espera el 21/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
N-Channel
|
|
