STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 4,193
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 1,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 1,984En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 210En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
Carrete: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package 210En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
Carrete: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads 300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 711En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

GaN FETs GaN SMD/SMT DPAK-3
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A 252En existencias
600Se espera el 16/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI 46,484En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor 71,802En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p 20,833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3 43,912En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5 2,798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET 931En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET 542En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT 1,142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET 4,718En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si

STMicroelectronics SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor in D2PAK HV package 719En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SCRs SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor 723En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD 131,515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

SOT-666-6
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 1,549En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 872En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP 48,710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET 2,575En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET 4,593En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS 1,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4