|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
- STD130N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.17
-
4,189En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD130N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
|
|
4,189En existencias
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.786
|
|
|
$0.641
|
|
|
$0.528
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.593
|
|
|
$0.484
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
- STD6N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.04
-
2,132En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
2,132En existencias
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.866
|
|
|
$0.709
|
|
|
$0.527
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.621
|
|
|
$0.493
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD18N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$2.22
-
1,632En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD18N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
1,632En existencias
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.42
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.784
|
|
|
$0.608
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.699
|
|
|
$0.582
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
- STD170N4F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.74
-
2,331En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD170N4F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
|
|
2,331En existencias
|
|
|
$2.74
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.814
|
|
|
$0.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
SCR 16 A High Temperature 800 V SCR
- TN1605H-8BTR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.10
-
2,495En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TN1605H-8BTR
|
STMicroelectronics
|
SCR 16 A High Temperature 800 V SCR
|
|
2,495En existencias
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.718
|
|
|
$0.594
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.528
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.498
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
SMD/SMT
|
DPAK
|
|
|
|
Triacs 16A 800V 150°C D²PAK Snubberless T-Series Triac
- T1635T-8G
- STMicroelectronics
-
1:
$1.39
-
3,457En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-T1635T-8G
|
STMicroelectronics
|
Triacs 16A 800V 150°C D²PAK Snubberless T-Series Triac
|
|
3,457En existencias
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.805
|
|
|
$0.583
|
|
|
$0.528
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.448
|
|
|
$0.409
|
|
|
$0.404
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Triacs
|
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
- STGD5H60DF
- STMicroelectronics
-
1:
$1.16
-
2,893En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD5H60DF
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
|
|
2,893En existencias
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.728
|
|
|
$0.479
|
|
|
$0.411
|
|
|
$0.348
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.277
|
|
|
$0.266
|
|
|
$0.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
SCR 80 A 800 V High Temperature Thyristor (SCR) in D3PAK package
- TM8050H-8D3-TR
- STMicroelectronics
-
1:
$7.44
-
258En existencias
-
300Se espera el 18/5/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-TM8050H-8D3-TR
|
STMicroelectronics
|
SCR 80 A 800 V High Temperature Thyristor (SCR) in D3PAK package
|
|
258En existencias
300Se espera el 18/5/2026
|
|
|
$7.44
|
|
|
$5.06
|
|
|
$3.53
|
|
|
$3.25
|
|
|
$3.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
SMD/SMT
|
D3PAK
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD11N60M6
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.677
-
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD11N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
|
|
$0.677
|
|
|
$0.641
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD12N60M6
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.906
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
- STD7N60DM2
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.561
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD7N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
|
$0.561
|
|
|
$0.531
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
- STD80N6F7
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.347
-
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A dual Power Schottky Rectifier
- STPS20120CB-TR
- STMicroelectronics
-
5,000:
$0.261
-
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPS20120CB-TR
|
STMicroelectronics
|
Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A dual Power Schottky Rectifier
|
|
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
|
|
|
$0.261
|
|
|
$0.233
|
|
|
$0.232
|
|
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
|
|
Schottky Diodes & Rectifiers
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
- STD134N4F7AG
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.623
-
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD134N4F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
|
|
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|