200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies Infineon TRENCH >=100V Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000