200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
10,220En existencias
8,000Se espera el 1/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
1,366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
23,727En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
2,475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
32,390En existencias
11,000Se espera el 17/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
Hoja de datos
3,552En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
Hoja de datos
3,627En existencias
7,200Se espera el 17/6/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
3,184En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
Hoja de datos
13,106En existencias
6,000Se espera el 1/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
5,536En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
3,907En existencias
10,400En pedido
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
2,900En existencias
2,400Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
1,790En existencias
23,800En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
Hoja de datos
9,131En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
Hoja de datos
3,008En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
3,750En existencias
20,800En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V 1,127En existencias
5,000Se espera el 8/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V 400En existencias
800Se espera el 16/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
1,135En existencias
1,000Se espera el 3/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
1,963En existencias
20,800Se espera el 7/12/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
Hoja de datos
1,342En existencias
3,000Se espera el 8/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
203En existencias
1,600Se espera el 17/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Hoja de datos
371En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Hoja de datos
72En existencias
400Se espera el 8/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies Infineon TRENCH >=100V
1,000Se espera el 17/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000