Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 36

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.79
3,342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC012N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC012N06NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,342En existencias

Cinta cortada

$5.79

$3.88

$2.79

$2.73

$2.58

Envase tipo carrete

$2.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

60 V

311 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.28
4,462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,462En existencias

Cinta cortada

$3.28

$2.14

$1.49

$1.25

Ver

Envase tipo carrete

$1.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: $3.06
65,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

65,912En existencias

Cinta cortada

$3.06

$1.97

$1.35

$1.11

Ver

Envase tipo carrete

$0.953

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

133 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.72
4,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,782En existencias

Cinta cortada

$3.72

$2.44

$1.71

$1.51

$1.42

Envase tipo carrete

$1.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.39
4,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,073En existencias

Cinta cortada

$3.39

$2.21

$1.56

$1.34

$1.24

Envase tipo carrete

$1.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH61N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.40
2,990En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQFH61N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH61N06NM5ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

2,990En existencias

Cinta cortada

$7.40

$5.01

$3.75

$3.64

$3.59

Envase tipo carrete

$3.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

510 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISG0614N06NM5HATMA1
Infineon Technologies
1: $4.91
3,509En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISG0614N06NM5HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0614N06NM5HAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,509En existencias

Cinta cortada

$4.91

$3.26

$2.32

$2.19

$2.18

Envase tipo carrete

$2.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

60 V

233 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1: $1.46
56,456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7545PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

Obtenga más información

Hoja de datos

56,456En existencias

$1.46

$0.569

$0.515

$0.423

$0.404

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

95 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5L022ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.65
7,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5L022ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5L022

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

Obtenga más información

Hoja de datos

7,279En existencias

Cinta cortada

$2.65

$1.70

$1.18

$0.993

Ver

Envase tipo carrete

$0.789

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

170 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

77 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5N032ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.02
3,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5N032ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N032

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

Obtenga más información

Hoja de datos

3,755En existencias

Cinta cortada

$2.02

$1.29

$0.869

$0.69

$0.613

Envase tipo carrete

$0.583

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

3.23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT009N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.20
1,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT009N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,744En existencias

Cinta cortada

$6.20

$4.25

$3.06

$2.95

$2.91

Envase tipo carrete

$2.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

60 V

427 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

171 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.95
5,165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQDH88N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH88N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,165En existencias

Cinta cortada

$3.95

$2.75

$2.39

$2.34

Ver

Envase tipo carrete

$2.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

447 A

860 uOhms

- 10 V, 10 V

1.1 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.39
4,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,461En existencias

Cinta cortada

$3.39

$2.14

$1.49

$1.25

Ver

Envase tipo carrete

$1.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.65
5,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,912En existencias

Cinta cortada

$3.65

$2.39

$1.67

$1.43

Ver

Envase tipo carrete

$1.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.72
1,673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,673En existencias

Cinta cortada

$3.72

$2.44

$1.71

$1.57

Ver

Envase tipo carrete

$1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISG0614N06NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: $5.27
1,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISG0614N06NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0614N06NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,504En existencias

Cinta cortada

$5.27

$3.51

$2.51

$2.41

$2.37

Envase tipo carrete

$2.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

60 V

233 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT008N06NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $7.73
4,590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT008N06NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT008N06NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,590En existencias

Cinta cortada

$7.73

$5.27

$3.98

$3.88

$3.80

Envase tipo carrete

$3.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

454 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.30
290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH86N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH86N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

290En existencias

Cinta cortada

$6.30

$4.22

$3.05

$2.89

$2.69

Envase tipo carrete

$2.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

394 A

1.47 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH99N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.47
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH99N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH99N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

300En existencias

Cinta cortada

$5.47

$3.73

$2.68

$2.51

Envase tipo carrete

$2.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

339 A

1.72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IST011N06NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: $5.34
2,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST011N06NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST011N06NM5AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,869En existencias

Cinta cortada

$5.34

$3.56

$2.54

$2.35

$2.32

Envase tipo carrete

$2.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

399 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3.3 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.45
87En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

87En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

$4.45

$2.90

$2.27

$1.91

Ver

Envase tipo carrete

$1.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH68N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.71
219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH68N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH68N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

219En existencias

Cinta cortada

$6.71

$4.60

$3.36

$3.26

Envase tipo carrete

$3.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

460 A

1.12 Ohms

- 20 V, 20 V

2.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

273 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.51
8,814En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC097N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC097N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

8,814En existencias

Cinta cortada

$1.51

$0.952

$0.633

$0.495

Ver

Envase tipo carrete

$0.383

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

46 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.81
18,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N06S5L050ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N06S5L050A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Obtenga más información

Hoja de datos

18,278En existencias

Cinta cortada

$1.81

$1.16

$0.77

$0.608

$0.536

Envase tipo carrete

$0.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC010N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.09
3,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC010N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC010N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,113En existencias

Cinta cortada

$5.09

$3.38

$2.41

$2.29

$2.21

Envase tipo carrete

$2.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

330 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
40 A
41 A
46 A
69 A
84 A
95 A
100 A
120 A
137 A
151 A
170 A
233 A
259 A
275 A
276 A
311 A
330 A
339 A
394 A

750 uOhms
800 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.55 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.23 mOhms
4 mOhms
4.9 mOhms

12.5 nC
15 nC
28 nC
38 nC
39 nC
47 nC
49 nC
53 nC
56 nC
68 nC
70 nC
75 nC
76 nC
77 nC
90 nC
106 nC
110 nC
115 nC
120 nC
133 nC

2.5 W
36 W
38 W
42 W
71 W
79 W
94 W
100 W
107 W
125 W
136 W
139 W
167 W
188 W
214 W
217 W
250 W
273 W
278 W
300 W