Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF

SSM3K37MFV,L3F
Toshiba
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SSM3K37MFV,L3F

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF

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SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

2.2 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6J401TU,LF
Toshiba
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SSM6J401TU,LF

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757-SSM6J401TULF

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SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

SSM6K403TU,LF
Toshiba
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SSM6K403TU,LF

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757-SSM6K403TULF

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SMD/SMT

UDFN-6

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1 Channel

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- 10 V, 10 V

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16.8 nC

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500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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SSM6K405TU,LF
Toshiba
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SSM6K405TU,LF

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UDFN-6

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1 Channel

20 V

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- 10 V, 10 V

1 V

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Enhancement

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.5A VDSS=-30V

SSM6L12TU,LF
Toshiba
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SSM6L12TU,LF

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757-SSM6L12TULF

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2 Channel

30 V, 20 V

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- 12 V, 12 V

500 mV, 1.1 V

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2-in-1

SSM6L36FE,LM
Toshiba
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SSM6L36FE,LM

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757-SSM6L36FELM

Toshiba

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SMD/SMT

ES6-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

500 mA, 330 mA

460 mOhms, 950 mOhms

- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

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1.23 nC, 1.2 nC

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+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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SSM6L39TU,LF
Toshiba
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SSM6L39TU,LF

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757-SSM6L39TULF

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UF-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

1.6 A, 1.5 A

247 mOhms, 430 mOhms

- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

350 mV, 300 mV

7.5 nC, 6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD

SSM6N15AFE,LM
Toshiba
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SSM6N15AFE,LM

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757-SSM6N15AFELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD

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ES6-6

N-Channel

2 Channel

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100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

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150 mW

Enhancement

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4.5V

SSM6N24TU,LF
Toshiba
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SSM6N24TU,LF

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757-SSM6N24TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4.5V

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SMD/SMT

UF-6

N-Channel

1 Channel

30 V

500 mA

145 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFU,LF
Toshiba
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SSM6N35AFU,LF

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757-SSM6N35AFULF

Toshiba

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms, 750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V

SSM6N37FE,LM
Toshiba
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4,482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N37FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N37FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V

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$0.198

$0.125

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$0.067

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SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

2.2 Ohms, 2.2 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6N40TU,LF
Toshiba
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225En existencias
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SSM6N40TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package

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9,000Se espera el 20/2/2026

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$0.11

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

UF-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.6 A

122 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6P36FE,LM
Toshiba
1: $0.37
3,026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P36FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P36FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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$0.37

$0.228

$0.143

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$0.073

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Carrete: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

2 Channel

20 V

330 mA

3.6 Ohms

- 8 V, 8 V

300 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6P39TU,LF
Toshiba
1: $0.59
2,711En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P39TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P39TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm @ 4V, in UF6 package

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2,711En existencias

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$0.59

$0.372

$0.238

$0.18

Envase tipo carrete

$0.116

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

213 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V

SSM6N39TU,LF
Toshiba
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3,000Se espera el 6/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N39TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N39TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V

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3,000Se espera el 6/3/2026

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$0.61

$0.375

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$0.131

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SMD/SMT

UF-6

N-Channel

2 Channel

20 V

1.6 A

87 mOhms, 87 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

7.5 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V

SSM6K204FE,LF
Toshiba
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SSM6K204FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K204FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V

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No en existencias

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$0.65

$0.402

$0.258

$0.196

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$0.127

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SMD/SMT

ES-6

N-Channel

1 Channel

20 V

2 A

126 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package

SSM6K208FE,LF
Toshiba
1: $0.62
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K208FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K208FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package

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Cinta cortada

$0.62

$0.381

$0.244

$0.185

Envase tipo carrete

$0.135

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Mult.: 1

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SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

1 Channel

30 V

1.9 A

133 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

1.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm

SSM6N48FU,LF
Toshiba
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N48FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N48FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

$0.37

$0.228

$0.143

$0.107

Envase tipo carrete

$0.075

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

U-MOSIII

Reel, Cut Tape

U-MOSIII MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 uOhms
28 mOhms
55 mOhms
66 mOhms
73 mOhms
87 mOhms, 87 mOhms
93 mOhms
120 mOhms, 210 mOhms
122 mOhms
122 mOhms, 226 mOhms
123 mOhms
126 mOhms
133 mOhms
145 mOhms
213 mOhms
226 mOhms
240 mOhms, 300 mOhms
247 mOhms, 430 mOhms
460 mOhms, 950 mOhms
630 mOhms