Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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Paquete / Cubierta

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
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SSM6L14FE(TE85L,F)

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757-SSM6L14FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

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SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

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- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

350 mV, 1 V

2 nC, 1.76 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII / U-MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3J36FS,LF
Toshiba
1: $0.25
279,501En existencias

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SSM3J36FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J36FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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P-Channel

1 Channel

20 V

330 mA

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- 8 V, 8 V

300 mV

1.2 nC

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150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V

SSM6P40TU,LF
Toshiba
1: $0.64
57,061En existencias

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SSM6P40TU,LF

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757-SSM6P40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V

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SMD/SMT

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P-Channel

1 Channel

30 V

1.4 A

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- 20 V, 20 V

2 V

2.9 nC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

SSM3K127TU,LF
Toshiba
1: $0.54
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SSM3K127TU,LF

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757-SSM3K127TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

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UFM-3

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1 Channel

30 V

2 A

93 mOhms

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+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

SSM6L40TU,LF
Toshiba
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SSM6L40TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

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SMD/SMT

UF-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.4 A, 1.6 A

122 mOhms, 226 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2 V

5.1 nC, 2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

SSM6K404TU,LF
Toshiba
1: $0.77
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6K404TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K404TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package

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N-Channel

1 Channel

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3 A

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1 V

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500 mW

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AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

XPJR6604PB,LXHQ
Toshiba
1: $2.54
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N.º de artículo del Fabricante
XPJR6604PB,LXHQ

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757-XPJR6604PBLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

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N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

530 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AMFV,L3F
Toshiba
1: $0.22
105,489En existencias

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SSM3K35AMFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35AMFVL3F

Toshiba

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VESM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

- 10 V, 10 V

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- 55 C

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500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

SSM3K36MFV,L3F
Toshiba
1: $0.36
53,282En existencias
56,000Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52

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$0.057

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

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Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

SSM6N15AFU,LF
Toshiba
1: $0.33
235,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N15AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N15AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

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$0.203

$0.127

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

30 V

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U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFE,LF
Toshiba
1: $0.36
97,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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$0.139

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: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

750 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

- 55 C

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Enhancement

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

SSM6N37FU,LF
Toshiba
1: $0.35
53,739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N37FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N37FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V

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$0.074

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

1.65 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

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300 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

SSM3K15ACTC,L3F
Toshiba
1: $0.27
18,239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15ACTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15ACTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

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$0.041

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Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

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500 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3K36FS,LF
Toshiba
1: $0.33
23,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K36FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K36FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

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350 mV

1.23 nC

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150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K37CT,L3F
Toshiba
1: $0.30
19,610En existencias
20,000Se espera el 22/6/2026

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SSM3K37CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K37CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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$0.115

$0.087

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$0.049

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: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

200 mA

5.6 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM3K37FS,LF
Toshiba
1: $0.22
28,410En existencias
6,000Se espera el 26/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K37FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K37FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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$0.043

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

200 mA

2.2 Ohms

- 10 V, 10 V

350 mV

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100 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF

SSM3K37MFV,L3F
Toshiba
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8,794En existencias
16,000Se espera el 15/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K37MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K37MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF

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$0.153

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$0.07

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$0.037

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SMD/SMT

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1 Channel

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250 mA

2.2 Ohms

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350 mV

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150 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM6N35AFU,LF
Toshiba
1: $0.47
2,340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

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$0.101

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

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- 10 V, 10 V

350 mV

340 pC

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+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V

SSM6N36FE,LM
Toshiba
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3,400En existencias

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SSM6N36FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N36FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V

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SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

500 mA

630 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

1.23 nC

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+ 150 C

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Enhancement

AEC-Q100

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V

SSM6N37FE,LM
Toshiba
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11,082En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N37FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N37FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V

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$0.212

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: 4,000

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ES6-6

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20 V

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- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6P36FE,LM
Toshiba
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: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

2 Channel

20 V

330 mA

3.6 Ohms

- 8 V, 8 V

300 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package

SSM3K122TU,LF
Toshiba
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SSM3K122TU,LF

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Toshiba

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SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2 A

123 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz

SSM3K123TU,LF
Toshiba
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SSM3K123TU,LF

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757-SSM3K123TULF

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: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.2 A

28 mOhms

- 10 V, 10 V

350 mV

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

SSM3K15ACT,L3F
Toshiba
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SSM3K15ACT,L3F

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SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

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U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS

SSM3K15AFS,LF
Toshiba
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SSM3K15AFS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15AFSLF

Toshiba

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1 Channel

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSIII MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

530 uOhms
28 mOhms
55 mOhms
66 mOhms
73 mOhms
87 mOhms, 87 mOhms
93 mOhms
120 mOhms, 210 mOhms
122 mOhms
122 mOhms, 226 mOhms
123 mOhms
126 mOhms
133 mOhms
145 mOhms
213 mOhms
226 mOhms
240 mOhms, 300 mOhms
247 mOhms, 430 mOhms
460 mOhms, 950 mOhms
630 mOhms