SUM & SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs

Vishay SUM and SUP ThunderFET® / TrenchFET® MOSFETs feature N-channel polarity options to expand on the ThunderFET and TrenchFET IV series low- and mid-range VDS voltage MOSFETs. The SUM and SUP series are offered in TO-220 and TO-263 packages with voltages of 60VDS, 80VDS, and 100VDs. Vishay SUM and SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs have a maximum junction temperature of 175°C and are 100% Rg and UIS tested. Typical applications include power supplies, motor drive switches, DC/DC power inverters and converters, power tools, battery management, and more.

Resultados: 27
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 110A 375W 76,653En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 80 V 110 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 180 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220 1,094En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 141 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3 563En existencias
2,400En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 128 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-220AB 806En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 P-CH 80V 150A 15,484En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 80 V 150 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 218 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V 278En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.83 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET 1,478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 4 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 84 nC - 55 C + 175 C 278 W
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs TO-263 6,144En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 120 A 10.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 150A N-CH MOSFET 1,176En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 150 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220 1,214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 126 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 P-CH 80V 150A 2,356En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 80 V 150 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 218 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 110A 375W 675En existencias
900En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 45A 375W 58mohm @ 10V 1,583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 58 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 65A 375W 30mohm @ 10V 1,709En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 65 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 90A 375W 19mohm @ 10V 4,941En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 90 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 217 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET 860En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 142.4 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) TrenchFET 809En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 141 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 150A N-CH MOSFET 673En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-220AB N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 4 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 84 nC - 55 C + 175 C 278 W
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 150A N-CH MOSFET 464En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 150 A 12.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 150W 773En existencias
800Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 100 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 269En existencias
800Se espera el 4/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 126 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L 598En existencias
800Se espera el 1/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SUM1 571En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 235 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 55A 125W
2,356Se espera el 2/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 60 V 55 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 76 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 83W w/Sense Terminal No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-5 TrenchFET Reel