Automotive Brushless DC (BLDC) Motor Applications

Diodes Incorporated Automotive Brushless DC (BLDC) Motors offer improved performance, longer lifetime, reduced noise, and greater ease of use when compared to equivalent mechanical solutions. MOSFETs within the BLDC Motor Systems are typically configured in a three-phase bridge arrangement to drive the DC motor. The MOSFETs must be capable of handling start-up and stalled motor currents of up to six times the continuous current rating of the motor. The Diodes Incorporated BLDC Motors are extensively used in automotive applications such as fuel pumps, water pumps, and Anti-Lock Braking Systems (ABS), and provide additional torque for power steering systems.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf 24,692En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260
: 3,000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch 7,495En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA 19,128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 3,580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch 4,900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch 8,892En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 18,892En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A 4,015En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
: 2,500

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA 17,993En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2,500
Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic SEAM5032 T&R 1K 338En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 92,672En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,030
: 2,500

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch 10,415En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 6,192En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 3,921En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Cristales Crystal Ceramic 5,203En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 3,000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch 6,779En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A 38,745En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,310
: 5,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 17,963En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 880
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier 75,239En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A High Volt Schot 200Vr 1.0A .85V .1mA 9,564En existencias
6,000Se espera el 12/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 420
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 4,166En existencias
5,000Se espera el 12/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 154,905En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A 10,759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V 72,030En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,840
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 4,113En existencias
2,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320
: 2,500