Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8P60W5,RVQ
Toshiba
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TK8P60W5,RVQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK6P65W,RQ
Toshiba
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757-TK6P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

5.8 A

890 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

TK12A80W,S4X
Toshiba
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TK12A80W,S4X

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11.5 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

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TK8A60W5,S5VX
Toshiba
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

TK35N65W,S1F
Toshiba
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TK35N65W,S1F

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757-TK35N65WS1F

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TO-247-3

N-Channel

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650 V

35 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

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DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

TK14A65W5,S5X
Toshiba
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TK14A65W5,S5X

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK17N65W,S1F
Toshiba
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TK17N65W,S1F

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757-TK17N65WS1F

Toshiba

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17.3 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

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165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

TK8P65W,RQ
Toshiba
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TK8P65W,RQ

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757-TK8P65WRQ

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DPAK-3 (TO-252-3)

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650 V

7.8 A

670 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK7A80W,S4X
Toshiba
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TK7A80W,S4X

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757-TK7A80WS4X

Toshiba

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
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TK16V60W5,LVQ

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757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

245 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 40mohm

TK040N60Z1,S1F
Toshiba
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TK040N60Z1,S1F

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757-TK040N60Z1S1F

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TO-247-3

N-Channel

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600 V

20 A

40 mOhms

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4 V

85 nC

+ 150 C

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Tube

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TK080N60Z1,S1F
Toshiba
1: $7.04
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TK080N60Z1,S1F

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757-TK080N60Z1S1F

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$7.04

$4.03

$3.84

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

43 nC

+ 150 C

211 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 125mohm

TK125N60Z1,S1F
Toshiba
1: $5.66
135En existencias
Nuevo producto

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TK125N60Z1,S1F

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757-TK125N60Z1S1F

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$2.87

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TO-247-3

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1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

28 nC

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

TK31V60W5,LVQ
Toshiba
1: $6.56
2,561En existencias

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TK31V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

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$4.40

$3.18

$2.95

$2.84

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$2.76

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: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

87 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK6P60W,RVQ
Toshiba
1: $3.45
4,523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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4,523En existencias

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$3.45

$2.25

$1.45

$1.27

$1.24

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$1.16

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

820 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

TK10A60W,S4VX
Toshiba
1: $4.03
57En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

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57En existencias

$4.03

$2.05

$1.85

$1.51

$1.43

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK10E60W,S1VX
Toshiba
1: $5.09
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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$5.09

$2.64

$2.38

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$1.96

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

TK11A65W,S5X
Toshiba
1: $2.22
190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK11A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

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$2.22

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11.1 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

TK12A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.41
194En existencias

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TK12A50D(STA4,Q,M)

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757-TK12A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

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194En existencias

$3.41

$1.71

$1.57

$1.24

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

520 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

TK16A60W5,S4VX
Toshiba
1: $3.99
174En existencias

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TK16A60W5,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60W5S4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

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174En existencias

$3.99

$2.38

$1.89

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16E60W,S1VX
Toshiba
1: $4.47
77En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

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77En existencias

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$2.29

$2.02

$1.70

$1.65

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W5,S1VQ
Toshiba
1: $6.42
73En existencias

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TK16J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS

TK20A60W5,S5VX
Toshiba
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TK20A60W5,S5VX

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757-TK20A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK20E60W5,S1VX
Toshiba
1: $5.64
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TK20E60W5,S1VX

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757-TK20E60W5S1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

175 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

DTMOSIV Series MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
24 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
40 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms
130 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
28 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
150 W
156 W
165 W
180 W
190 W
211 W
230 W