|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK65S04N1L,LQ
- Toshiba
-
1:
$2.92
-
2,070En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
|
|
2,070En existencias
|
|
|
$2.92
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.986
|
|
|
$0.933
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK100S04N1L,LQ
- Toshiba
-
1:
$3.75
-
3,603En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TK100S04N1LLQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
|
|
3,603En existencias
|
|
|
$3.75
|
|
|
$2.45
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
- TB9061AFNG,EL
- Toshiba
-
1:
$8.36
-
447En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TB9061AFNG,EL
|
Toshiba
|
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
|
|
447En existencias
|
|
|
$8.36
|
|
|
$6.47
|
|
|
$6.00
|
|
|
$5.49
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.69
|
|
|
$5.24
|
|
|
$5.09
|
|
|
$4.96
|
|
|
$4.69
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK90S06N1L,LQ
- Toshiba
-
1:
$3.15
-
2,093En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TK90S06N1LLQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
|
|
2,093En existencias
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
- TJ60S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
1:
$2.08
-
825En existencias
-
2,000Se espera el 16/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
|
|
825En existencias
2,000Se espera el 16/11/2026
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.33
|
|
|
$0.897
|
|
|
$0.711
|
|
|
$0.601
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.652
|
|
|
$0.582
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
- TJ60S06M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
1:
$3.15
-
343En existencias
-
2,000Se espera el 14/9/2026
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
|
|
343En existencias
2,000Se espera el 14/9/2026
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.33
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
- TJ80S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
2,000:
$0.547
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
|
|
No en existencias
|
|
|
$0.547
|
|
|
$0.526
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
:
2,000
|
|
|
