NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

Resultados: 178
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET 1,043En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET 135En existencias
1,000Se espera el 20/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement NexFET Tube

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595-CSD19534Q5A 263En existencias
3,000Se espera el 23/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 17 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET 9En existencias
1,600Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 259 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 118 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT 68En existencias
1,600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 272 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 118 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT 755En existencias
12,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L 445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT BGA-6 N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.9 mOhms - 10 V, 10 V 950 mV 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2 396En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 2 Channel 20 V 5 A 27 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A 595-CSD85302LT 3,676En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 N-Channel 2 Channel 20 V 7 A 24 mOhms - 10 V, 10 V 680 mV 6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs 919En existencias
2,500Se espera el 1/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 20 V 12 A 14 mOhms - 10 V, 10 V 1.1 V 11.7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS 904En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block 445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel 2 Channel 30 V 15 A 18 mOhms, 5.5 mOhms - 8 V, 10 V 2.1 V, 1.2 V 2.7 nC, 6.4 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L 530En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT BGA-10 N-Channel 2 Channel 30 V 14 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T 2,182En existencias
9,000Se espera el 20/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 2 Channel 30 V 5 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT 2,226En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 15 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17577Q5A
5,000Se espera el 29/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q5A
4,982Se espera el 10/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET
2,058Se espera el 19/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 27 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST
2,500Se espera el 26/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTTT
497Se espera el 10/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 194 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18533Q5A
700Se espera el 23/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 116 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTTT
482Se espera el 7/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr MOSFET Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 5.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17581Q5A Plazo de entrega 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17576Q5B Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 3 W NexFET Reel