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CSD87313DMS

Name: Texas Instruments CSD87313DMS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87313DMS
Price: 2.21 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-CSD87313DMS

Fabricante N.º:

CSD87313DMS

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

Hoja de datos:

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.21	$2.21
	$1.41	$14.10
	$0.976	$97.60
	$0.738	$369.00
	$0.691	$691.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.611	$1,527.50
	$0.575	$2,875.00

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD87313DMST

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.91

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD87313DMST

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	17 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	600 mV
Qg - Carga de puerta:	28 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.7 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	13 ns, 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	149 S, 149 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns, 27 ns
Serie:	CSD87313DMS
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	41 ns, 41 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns, 9 ns
Peso de la unidad:	5.500 mg

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ECCN:: EAR99

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