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726-IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
27 A
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- 20 V, 20 V
3 V
36 nC
- 40 C
+ 150 C
111 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
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726-IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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$3.34
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Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
19 A
149 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
25 nC
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+ 150 C
81 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
5,890 En existencias
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
600 V
6 A
490 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
9 nC
- 40 C
+ 150 C
7 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape