|
|
Módulos IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module
- FF1500R17IP5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$826.56
-
5En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF1500R17IP5BPSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module
|
|
5En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 30 Amps 400V
- DPG30C400HB
- IXYS
-
1:
$5.45
-
270En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DPG30C400HB
|
IXYS
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 30 Amps 400V
|
|
270En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V
- DPG60C400HB
- IXYS
-
1:
$6.88
-
236En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DPG60C400HB
|
IXYS
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V
|
|
236En existencias
|
|
|
$6.88
|
|
|
$4.72
|
|
|
$3.95
|
|
|
$3.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET Mod: 1200V 180A (no Diode)
- BSM180D12P2C101
- ROHM Semiconductor
-
1:
$475.52
-
2En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-BSM180D12P2C101
|
ROHM Semiconductor
|
Módulos MOSFET Mod: 1200V 180A (no Diode)
|
|
2En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Rectificadores Super Fast Recovery Diode
- RF601BGE2DTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.08
-
1,806En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RF601BGE2DTL
|
ROHM Semiconductor
|
Rectificadores Super Fast Recovery Diode
|
|
1,806En existencias
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.33
|
|
|
$0.896
|
|
|
$0.713
|
|
|
$0.605
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.675
|
|
|
$0.602
|
|
|
$0.601
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
- HN1B04FE-GR,LXHF
- Toshiba
-
1:
$0.69
-
7,772En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-HN1B04FE-GRLXHF
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
|
|
7,772En existencias
|
|
|
$0.69
|
|
|
$0.428
|
|
|
$0.276
|
|
|
$0.21
|
|
|
$0.156
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.188
|
|
|
$0.171
|
|
|
$0.128
|
|
|
$0.125
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
- SIZ926DT-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.97
-
5,662En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIZ926DT-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
|
|
5,662En existencias
|
|
|
$1.97
|
|
|
$1.26
|
|
|
$0.842
|
|
|
$0.666
|
|
|
$0.577
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.61
|
|
|
$0.543
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Schottky,Surmount,Anti-par,Med Bar,Sil,C
- MA4E2508M-1112
- MACOM
-
200:
$4.09
-
600En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-MA4E2508M-1112
|
MACOM
|
Rectificadores y diodos Schottky Schottky,Surmount,Anti-par,Med Bar,Sil,C
|
|
600En existencias
|
|
Min.: 200
Mult.: 200
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 1400 A dual IGBT module
Infineon Technologies FF1400R12IP4P
- FF1400R12IP4P
- Infineon Technologies
-
1:
$669.30
-
4En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-FF1400R12IP4P
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 1400 A dual IGBT module
|
|
4En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V SOT363 T&R 3K
Diodes Incorporated DMN52D0UDWQ-7
- DMN52D0UDWQ-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.40
-
2,838En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMN52D0UDWQ-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V 40V SOT363 T&R 3K
|
|
2,838En existencias
|
|
|
$0.40
|
|
|
$0.295
|
|
|
$0.167
|
|
|
$0.113
|
|
|
$0.07
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.086
|
|
|
$0.064
|
|
|
$0.054
|
|
|
$0.052
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
- DMC2057UVT-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.53
-
8,244En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMC2057UVT-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
|
|
8,244En existencias
|
|
|
$0.53
|
|
|
$0.234
|
|
|
$0.184
|
|
|
$0.156
|
|
|
$0.139
|
|
|
$0.094
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
- SP8M21HZGTB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.55
-
4,682En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SP8M21HZGTB
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
|
|
4,682En existencias
|
|
|
$3.55
|
|
|
$2.32
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.19
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.15
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
- PCDH2065CCG1_T0_00601
- Panjit
-
1:
$8.03
-
1,498En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PCDH2065CG1T0601
|
Panjit
|
Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
|
|
1,498En existencias
|
|
|
$8.03
|
|
|
$3.96
|
|
|
$3.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
- PCDH4065CCG1_T0_00601
- Panjit
-
1:
$13.07
-
1,490En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PCDH4065CG1T0601
|
Panjit
|
Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
|
|
1,490En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
- FF1500R12IE5PBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$756.02
-
6En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF1500R12IE5PBPS
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
|
|
6En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores digitales DUAL PNP/NPN
- EMD4T2R
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.55
-
8,927En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
EMD4T2R
N.º de artículo de Mouser
755-EMD4T2R
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores digitales DUAL PNP/NPN
|
|
8,927En existencias
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.34
|
|
|
$0.217
|
|
|
$0.163
|
|
|
$0.089
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.128
|
|
|
$0.117
|
|
|
$0.085
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
8,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET
- QH8K51TR
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.43
-
2,244En existencias
-
3,000Se espera el 20/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
755-QH8K51TR
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET
|
|
2,244En existencias
3,000Se espera el 20/11/2026
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.868
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.527
|
|
|
$0.422
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.481
|
|
|
$0.392
|
|
|
$0.381
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L
- SQJ204EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.17
-
2,890En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ204EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L
|
|
2,890En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.937
|
|
|
$0.745
|
|
|
$0.682
|
|
|
$0.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
- DMP1055UFDB-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.98
-
4,160En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMP1055UFDB-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
|
|
4,160En existencias
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.574
|
|
|
$0.397
|
|
|
$0.305
|
|
|
$0.214
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.277
|
|
|
$0.195
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores digitales RECOMMENDED ALT 755-EMH75T2R
- EMG8T2R
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.53
-
8,216En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
EMG8T2R
N.º de artículo de Mouser
755-EMG8T2R
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores digitales RECOMMENDED ALT 755-EMH75T2R
|
|
8,216En existencias
|
|
|
$0.53
|
|
|
$0.327
|
|
|
$0.208
|
|
|
$0.156
|
|
|
$0.091
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.126
|
|
|
$0.104
|
|
|
$0.086
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
8,000
|
|
|
|
|
Rectificadores 400V 16A TO-220 Fred Pt
- VS-16CTU04-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.11
-
7,912En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-16CTU04-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 400V 16A TO-220 Fred Pt
|
|
7,912En existencias
|
|
|
$3.11
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
- SIA913ADJ-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.88
-
5,149En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
781-SIA913ADJ-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
|
|
5,149En existencias
|
|
|
$0.88
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.357
|
|
|
$0.274
|
|
|
$0.212
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.247
|
|
|
$0.196
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores Power Diode Discretes-FRED TO-263D2
IXYS DSEC16-12AS-TRL
- DSEC16-12AS-TRL
- IXYS
-
1:
$6.32
-
1,790En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DSEC16-12AS-TRL
|
IXYS
|
Rectificadores Power Diode Discretes-FRED TO-263D2
|
|
1,790En existencias
|
|
|
$6.32
|
|
|
$4.14
|
|
|
$3.05
|
|
|
$2.71
|
|
|
$2.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
- PCDH20120CCG1_T0_00601
- Panjit
-
1:
$12.82
-
1,495En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PCDH2012CG1T0601
|
Panjit
|
Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
|
|
1,495En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
- MSCSM120AM03CT6LIAG
- Microchip Technology
-
1:
$940.69
-
1En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-SM120AM03CT6LIAG
|
Microchip Technology
|
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
|
|
1En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
