|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
- SSM6L826R,LF
- Toshiba
-
1:
$0.92
-
2,086En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L826RLF
Nuevo producto
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
|
|
2,086En existencias
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.654
|
|
|
$0.407
|
|
|
$0.281
|
|
|
$0.204
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.242
|
|
|
$0.183
|
|
|
$0.168
|
|
|
$0.145
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
- AHV85043K18ESTR
- Allegro MicroSystems
-
1:
$2.04
-
206En existencias
-
9,000Se espera el 9/7/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
250-AHV85043K18ESTR
Nuevo producto
|
Allegro MicroSystems
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
|
|
206En existencias
9,000Se espera el 9/7/2026
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.04
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.07
|
|
|
$1.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ768ELP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.06
-
2,320En existencias
-
3,000Se espera el 7/6/2027
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ768ELP-T1_GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2,320En existencias
3,000Se espera el 7/6/2027
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.851
|
|
|
$0.675
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.526
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.514
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
- NSVT5551DW1T1G
- onsemi
-
1:
$1.08
-
2,796En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-NSVT5551DW1T1G
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
|
|
2,796En existencias
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.667
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.303
|
|
|
$0.238
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
$3.15
-
20,608En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
|
|
20,608En existencias
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.93
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
- MBR1060DC-AU_R2_006A1
- Panjit
-
1:
$1.03
-
6,235En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-MBR1060DCAUR26A1
|
Panjit
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
|
|
6,235En existencias
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.643
|
|
|
$0.418
|
|
|
$0.378
|
|
|
$0.378
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A
- SI7252ADP-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.77
-
49,719En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI7252ADP-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A
|
|
49,719En existencias
|
|
|
$2.77
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.989
|
|
|
$0.923
|
|
|
$0.874
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
- SI4948BEY-T1-E3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.75
-
78,980En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
781-SI4948BEY-T1-E3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
|
|
78,980En existencias
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.838
|
|
|
$0.675
|
|
|
$0.591
|
|
|
$0.551
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky RECT 45V 10A SM SCHOTTKY
- V10KM45CHM3/H
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.83
-
2,564En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-V10KM45CHM3/H
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores y diodos Schottky RECT 45V 10A SM SCHOTTKY
|
|
2,564En existencias
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.897
|
|
|
$0.791
|
|
|
$0.473
|
|
|
$0.458
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
41,883En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41,883En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.498
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.375
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
- DMG1016V-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.52
-
267,383En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
|
|
267,383En existencias
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.287
|
|
|
$0.199
|
|
|
$0.151
|
|
|
$0.151
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 940
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
- SCS240KE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$24.89
-
1,258En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS240KE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
|
|
1,258En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQJQ910EL-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$3.60
-
43,678En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
43,678En existencias
|
|
|
$3.60
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ1912AEEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.87
-
130,738En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
130,738En existencias
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.206
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.241
|
|
|
$0.189
|
|
|
$0.174
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
- SQ1912EH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.78
-
181,173En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
|
|
181,173En existencias
|
|
|
$0.78
|
|
|
$0.485
|
|
|
$0.313
|
|
|
$0.238
|
|
|
$0.183
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.214
|
|
|
$0.167
|
|
|
$0.151
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.78
-
127,591En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922AEEH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
|
|
127,591En existencias
|
|
|
$0.78
|
|
|
$0.484
|
|
|
$0.312
|
|
|
$0.238
|
|
|
$0.182
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.214
|
|
|
$0.167
|
|
|
$0.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
- SQ3989EV-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.02
-
173,495En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ3989EV-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
|
|
173,495En existencias
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.634
|
|
|
$0.413
|
|
|
$0.318
|
|
|
$0.247
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.287
|
|
|
$0.228
|
|
|
$0.217
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
- SQ4920EY-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.55
-
18,836En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4920EY-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
|
|
18,836En existencias
|
|
|
$2.55
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.895
|
|
|
$0.823
|
|
|
$0.775
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
- SQJB90EP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.09
-
26,351En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJB90EP-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
|
|
26,351En existencias
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.899
|
|
|
$0.714
|
|
|
$0.612
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.654
|
|
|
$0.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
- VS-MURD620CTTR-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.64
-
37,927En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-MURD620CTTR-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
|
|
37,927En existencias
|
|
|
$1.64
|
|
|
$0.964
|
|
|
$0.689
|
|
|
$0.541
|
|
|
$0.493
|
|
|
$0.415
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
- NVTJD4001NT1G
- onsemi
-
1:
$0.52
-
929,044En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVTJD4001NT1G
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
|
|
929,044En existencias
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.32
|
|
|
$0.203
|
|
|
$0.153
|
|
|
$0.153
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 880
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- PJQ5948V-AU_R2_002A1
- Panjit
-
1:
$1.37
-
2,884En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5948VAUR202A1
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
|
|
2,884En existencias
|
|
|
$1.37
|
|
|
$0.859
|
|
|
$0.566
|
|
|
$0.515
|
|
|
$0.515
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
- FF200R17KE4
- Infineon Technologies
-
1:
$137.71
-
25En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-FF200R17KE4
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
|
|
25En existencias
|
|
|
$137.71
|
|
|
$114.54
|
|
|
$105.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
- FDC6318P
- onsemi
-
1:
$1.23
-
53,343En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDC6318P
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
|
|
53,343En existencias
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.772
|
|
|
$0.507
|
|
|
$0.393
|
|
|
$0.289
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.357
|
|
|
$0.282
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
- 1SS226,LF
- Toshiba
-
1:
$0.22
-
882,530En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-1SS226LF
|
Toshiba
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
|
|
882,530En existencias
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.133
|
|
|
$0.083
|
|
|
$0.061
|
|
|
$0.035
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