|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
- SSM6L826R,LF
- Toshiba
-
1:
$0.92
-
2,086En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L826RLF
Nuevo producto
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
|
|
2,086En existencias
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.654
|
|
|
$0.407
|
|
|
$0.281
|
|
|
$0.204
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.242
|
|
|
$0.183
|
|
|
$0.168
|
|
|
$0.145
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ768ELP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.06
-
2,320En existencias
-
3,000Se espera el 7/6/2027
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ768ELP-T1_GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2,320En existencias
3,000Se espera el 7/6/2027
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.851
|
|
|
$0.675
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.526
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.514
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
- MBR1060DC-AU_R2_006A1
- Panjit
-
1:
$1.03
-
6,235En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-MBR1060DCAUR26A1
|
Panjit
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
|
|
6,235En existencias
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.643
|
|
|
$0.418
|
|
|
$0.378
|
|
|
$0.378
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
$3.15
-
20,602En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
|
|
20,602En existencias
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.93
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
- NSVT5551DW1T1G
- onsemi
-
1:
$1.08
-
2,795En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-NSVT5551DW1T1G
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
|
|
2,795En existencias
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.667
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.303
|
|
|
$0.238
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A
- SI7252ADP-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.78
-
49,684En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI7252ADP-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A
|
|
49,684En existencias
|
|
|
$2.78
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.989
|
|
|
$0.923
|
|
|
$0.874
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
- SSM6L14FE(TE85L,F)
- Toshiba
-
1:
$0.50
-
247,687En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L14FETE85LF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
|
|
247,687En existencias
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.306
|
|
|
$0.194
|
|
|
$0.145
|
|
|
$0.095
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.129
|
|
|
$0.116
|
|
|
$0.085
|
|
|
$0.079
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT457 40V .6A NPN/P NP BJT
- PMD2001D,115
- Nexperia
-
1:
$0.22
-
186,264En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMD2001D115
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT457 40V .6A NPN/P NP BJT
|
|
186,264En existencias
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.132
|
|
|
$0.104
|
|
|
$0.098
|
|
|
$0.087
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.094
|
|
|
$0.084
|
|
|
$0.081
|
|
|
$0.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
- PMP4201Y,135
- Nexperia
-
1:
$0.66
-
288,118En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMP4201Y135
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
|
|
288,118En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.408
|
|
|
$0.261
|
|
|
$0.198
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.129
|
|
|
$0.16
|
|
|
$0.141
|
|
|
$0.129
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
- SIA907EDJT-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.91
-
110,643En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIA907EDJT-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
|
|
110,643En existencias
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.815
|
|
|
$0.644
|
|
|
$0.554
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.589
|
|
|
$0.533
|
|
|
$0.521
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQ1922EEH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.87
-
302,324En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
302,324En existencias
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.206
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.241
|
|
|
$0.189
|
|
|
$0.174
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
- SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.22
-
71,043En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
|
|
71,043En existencias
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.41
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.77
|
|
|
$0.645
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.691
|
|
|
$0.621
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
- SQJ980AEP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.98
-
28,794En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
|
|
28,794En existencias
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.26
|
|
|
$0.848
|
|
|
$0.671
|
|
|
$0.583
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.56
|
|
|
$0.548
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
- SH8JE5TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.21
-
1,467En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SH8JE5TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
|
|
1,467En existencias
|
|
|
$3.21
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.44
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
- SI4228DY-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.47
-
52,294En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI4228DY-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
|
|
52,294En existencias
|
|
|
$1.47
|
|
|
$0.927
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.389
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.437
|
|
|
$0.363
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
- SQ4961EY-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.34
-
25,482En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4961EY-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
|
|
25,482En existencias
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.811
|
|
|
$0.716
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.745
|
|
|
$0.689
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
- IRF7341GTRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.75
-
23,609En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRF7341GTRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
|
|
23,609En existencias
|
|
|
$2.75
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.975
|
|
|
$0.907
|
|
|
$0.847
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
41,879En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41,879En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.498
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.375
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
- DMG1016V-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.52
-
265,110En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
|
|
265,110En existencias
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.293
|
|
|
$0.194
|
|
|
$0.151
|
|
|
$0.151
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 920
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
- SCS240KE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$24.89
-
1,258En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS240KE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
|
|
1,258En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQJQ910EL-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$3.60
-
43,603En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
43,603En existencias
|
|
|
$3.60
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
- FDC6318P
- onsemi
-
1:
$1.23
-
53,340En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDC6318P
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
|
|
53,340En existencias
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.772
|
|
|
$0.507
|
|
|
$0.507
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 440
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
- 1SS226,LF
- Toshiba
-
1:
$0.22
-
882,510En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-1SS226LF
|
Toshiba
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
|
|
882,510En existencias
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.133
|
|
|
$0.083
|
|
|
$0.061
|
|
|
$0.036
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.053
|
|
|
$0.033
|
|
|
$0.03
|
|
|
$0.026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
- PMP4201Y,115
- Nexperia
-
1:
$0.66
-
129,158En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMP4201Y115
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
|
|
129,158En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.408
|
|
|
$0.261
|
|
|
$0.198
|
|
|
$0.15
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.177
|
|
|
$0.137
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ1563AEH-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
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1:
$0.42
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305,988En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SQ1563AEH-T1_GE3
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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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305,988En existencias
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