STGF10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF10M65DF2
STGF10M65DF2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 2000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$0.495 $990.00
$0.449 $2,245.00
$0.436 $4,360.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
20 A
30 W
- 55 C
+ 175 C
STGF10M65DF2
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 20 A
Corriente de fuga puerta-emisor: +/- 250 uA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99