GH50H65DRB2-7AG
511-GH50H65DRB2-7AG
GH50H65DRB2-7AG
Fabricante:
Descripción:
IGBTs Automotive trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed IGBT freewheeling diode
IGBTs Automotive trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed IGBT freewheeling diode
Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
Códigos de cumplimiento
- USHTS:
- 8541290095
- TARIC:
- 8541290000
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- China
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000) | ||
| $1.72 | $1,720.00 | |
| $1.66 | $3,320.00 | |
| $1.65 | $8,250.00 | |
Honduras
