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onsemi Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low RDS(on) and low capacitance. The low RDS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Features

  • Low RDS(on) to minimize conduction losses
  • Low capacitance to minimize driver losses
  • Pb-free and RoHS-compliant
  • Small footprint for compact design
  • -55°C to +175°C operating temperature range
  • Wettable flanks (NVMFS5C406NLW, NVTFWS003N04C, NVTFWS015N04C)
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable (NVTFWS015N04C, NVTFWS003N04C, FDBL9406L-F085, NVMFS5C406NLWF)

Specifications

  • 30V to 650V drain-source breakdown voltage range
  • 27A to 464A continuous drain current range
  • 520µΩ to 950mΩ drain-source resistance range
  • 1.2V to 4.5V gate-source threshold voltage range
  • 6.3nC to 178nC gate charge range
  • 3.2W to 340W power dissipation range

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N.º de artículo Hoja de datos Descripción Paquete / Cubierta Dp - Disipación de potencia Qg - Carga de puerta Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Tiempo típico de demora de encendido Tiempo de retardo de apagado típico Tiempo de subida Tiempo de caída
NTMFS006N12MCT1G NTMFS006N12MCT1G Hoja de datos Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG SO-8FL-4 104 W 42 nC 4 V 6 mOhms 93 A
FDBL9401-F085T6 FDBL9401-F085T6 Hoja de datos Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.7 MOHMS MAX TO-LL8-8 180.7 W 148 nC 4 V 670 uOhms 240 A
NTBGS001N06C NTBGS001N06C Hoja de datos Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.0MO D2PAK-7 3.7 W 139 nC 4 V 1.2 mOhms 342 A 41.1 ns 92 ns 23.3 ns 31.7 ns
NTMTS001N06CTXG NTMTS001N06CTXG Hoja de datos Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI Power-88-8 244 W 165 nC 1.2 V 810 uOhms 398.2 A 47.2 ns 70.7 ns 25.2 ns 23.3 ns
NTMYS1D2N04CLTWG NTMYS1D2N04CLTWG Hoja de datos Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK LFPAK-4 134 W 52 nC 1.2 V 1.2 mOhms 258 A 14 ns 79 ns 8.1 ns 22 ns
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 Hoja de datos Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 1.2 MOHMS MAX TO-LL8-8 136.4 W 75 nC 3.5 V 1.21 mOhms 240 A
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Publicado: 2019-07-22 | Actualizado: 2025-07-16