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onsemi Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low RDS(on) and low capacitance. The low RDS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Features

  • Low RDS(on) to minimize conduction losses
  • Low capacitance to minimize driver losses
  • Pb-free and RoHS-compliant
  • Small footprint for compact design
  • -55°C to +175°C operating temperature range
  • Wettable flanks (NVMFS5C406NLW, NVTFWS003N04C, NVTFWS015N04C)
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable (NVTFWS015N04C, NVTFWS003N04C, FDBL9406L-F085, NVMFS5C406NLWF)

Specifications

  • 30V to 650V drain-source breakdown voltage range
  • 27A to 464A continuous drain current range
  • 520µΩ to 950mΩ drain-source resistance range
  • 1.2V to 4.5V gate-source threshold voltage range
  • 6.3nC to 178nC gate charge range
  • 3.2W to 340W power dissipation range

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N.º de artículo Hoja de datos Descripción Paquete / Cubierta Dp - Disipación de potencia Qg - Carga de puerta Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Tiempo típico de demora de encendido Tiempo de retardo de apagado típico Tiempo de subida Tiempo de caída
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Publicado: 2019-07-22 | Actualizado: 2025-07-16